[实用新型]AMOLED基板及AMOLED显示屏有效
| 申请号: | 202122799102.2 | 申请日: | 2021-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN216488066U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 安北燕;罗锦钊;胡君文 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 张秋弟 |
| 地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | amoled 显示屏 | ||
1.一种AMOLED基板,所述AMOLED基板设有显示区、边框区和绑定区,所述边框区围绕所述显示区设置,所述绑定区设于所述显示区的下方,所述边框区设有封装区和信号搭接区,所述信号搭接区设于所述封装区与所述显示区之间,其特征在于,所述信号搭接区包括上搭接区和下搭接区,所述上搭接区和所述下搭接区分别位于所述边框区内部的上端和下端;所述上搭接区包括至少一个上边角搭接区,所述上边角搭接区的内边界紧挨着所述显示区上端边角位置处的外边界,所述上边角搭接区的外边界紧挨着所述封装区上端边角位置处的内边界;所述下搭接区包括至少一个下边角搭接区,所述下边角搭接区的内边界紧挨着所述显示区下端边角位置处的外边界,所述下边角搭接区的外边界紧挨着所述封装区下端边角位置处的内边界。
2.根据权利要求1所述的AMOLED基板,其特征在于,所述上边角搭接区的内边界与所述显示区上端边角位置处的外边界形状相同,所述上边角搭接区的外边界与所述封装区上端边角位置处的内边界形状相同;所述下边角搭接区的内边界与所述显示区下端边角位置处的外边界形状相同,所述下边角搭接区的外边界与所述封装区下端边角位置处的内边界形状相同。
3.根据权利要求1所述的AMOLED基板,其特征在于,所述上边角搭接区的宽度按照从上到下的方向逐渐递减;所述下边角搭接区为向上弯曲的锥形结构,所述下边角搭接区的宽度按照从下到上的方向逐渐递减。
4.根据权利要求1所述的AMOLED基板,其特征在于,所述上边角搭接区设为两个,分别位于所述边框区内部的左上端和右上端;所述下边角搭接区设为两个,分别位于所述边框区内部的左下端和右下端。
5.根据权利要求1所述的AMOLED基板,其特征在于,所述上搭接区还包括上中间搭接区,所述上边角搭接区延伸于所述上中间搭接区的一侧,所述上中间搭接区的内边界紧挨着所述显示区上端中间位置处的外边界,所述上中间搭接区的外边界紧挨着所述封装区上端中间位置处的内边界。
6.根据权利要求5所述的AMOLED基板,其特征在于,所述上中间搭接区的内边界与所述显示区上端中间位置处的外边界形状相同,所述上中间搭接区的外边界与所述封装区上端中间位置处的内边界形状相同。
7.根据权利要求1所述的AMOLED基板,其特征在于,所述下搭接区还包括下中间搭接区,所述下边角搭接区延伸于所述下中间搭接区的一侧,所述下中间搭接区的内边界紧挨着所述显示区下端中间位置处的外边界,所述下中间搭接区的外边界紧挨着所述封装区下端中间位置处的内边界。
8.根据权利要求7所述的AMOLED基板,其特征在于,所述下中间搭接区的内边界与所述显示区下端中间位置处的外边界形状相同,所述下中间搭接区的外边界与所述封装区下端中间位置处的内边界形状相同。
9.根据权利要求1所述的AMOLED基板,其特征在于,所述上搭接区的内边界与所述显示区的外边界的间距为1μm~50μm,所述上搭接区的外边界与所述封装区的内边界的间距为1μm~50μm;所述下搭接区的内边界与所述显示区的外边界的间距为1μm~50μm,所述下搭接区的外边界与所述封装区的内边界的间距为1μm~50μm。
10.一种AMOLED显示屏,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的AMOLED基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利(惠州)智能显示有限公司,未经信利(惠州)智能显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122799102.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种绿色园林施工取样装置
- 下一篇:自动曝光机搬送机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





