[实用新型]一种离子注入机的分析磁场单元

说明书

本实用新型提供了一种离子注入机的分析磁场单元，包括离子输送管和动力机构；所述离子输送管包括入口和出口，所述离子输送管的内部设置有磁场，所述离子输送管的弯曲角度可调节，所述离子输送管的入口和出口至少一个位置可调节；所述动力机构与所述离子输送管连接，所述动力机构用于调节所述离子输送管的弯曲角度。所述分析磁场单元可以筛选出不同种类的离子，在不改变磁场强度的情况下，增加了筛选出的离子的能量范围；由于磁场强度不需要额外增加既可获得高能量的离子，这样降低了电能消耗，达到了节能降耗、绿色生产的效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造工艺中的离子注入机，特别涉及一种离子注入机的分析磁场单元。

背景技术

半导体在制造过程中，需要将一些离子注入到半导体的内部。当前离子注入机在离子筛选过程中，离子经过分析磁场单元(Analysis magnet unit，AMU)时发生偏转，AMU的弯曲角度是固定的，每种离子只能按特定的路径进行偏转，每种离子的偏转半径不同，偏转半径的公式为R＝mv/qB，其中，R为离子在磁场中做圆周运动的半径，m为离子的质量，v为离子的速度，q为离子的电荷量，B为磁感应强度。如图1所示，对于固定型号的离子注入机台，只有特定的离子能正常从AMU的入口进入AMU，然后从AMU的出口进入后面的装置，能正常输出的离子的运动路线对应图1中第一曲线2；质荷比过大或过小的离子会打在AMU侧壁上，这些离子不能正常从AMU的出口输出，即使能从AMU的出口输出，离子与AMU侧壁碰撞后速度减小，离子的能量也随之减小；质荷比过大的离子的运动路线对应图1中的第二曲线3，质荷比过小的离子的运动路线对应图1中的第三曲线4；离子的能量公式为E＝1/2*mv²，其中，E为离子的能量，m为离子的质量，v为离子的速度。

现有的AMU筛选出的离子的种类比较单一，筛选出的离子的能量受到局限，因为磁场设计主要根据常规硼11/磷31/砷75等掺杂元素进行设计的，但是对于铟115/锑121等重离子，其偏转能力不足，这样造成一价注入条件下，常规掺杂离子能达到300KeV的能量(以型号为AMAT VIISta 900XP机台为例)，铟的能量只能达到150KeV的能量。

实用新型内容

本实用新型提供了一种离子注入机的分析磁场单元，以解决现有的分析磁场单元筛选出的离子的种类比较单一的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种离子注入机的分析磁场单元，包括离子输送管和动力机构；

所述离子输送管包括入口和出口，所述离子输送管的内部设置有磁场，所述离子输送管的弯曲角度可调节，所述离子输送管的入口和出口至少一个位置可调节；

所述动力机构与所述离子输送管连接，所述动力机构用于调节所述离子输送管的弯曲角度。

可选的，所述离子输送管的弯曲角度的范围为a，所述a满足0°＜a≤90°。

可选的，所述离子输送管包括多个依次连接的关节，相互连接的所述关节之间的弯曲角度可调节。

可选的，所述离子输送管包括18个所述关节，每个所述关节的角度为5°。

可选的，所述离子输送管的轴线的形状为圆弧形。

可选的，所述离子输送管的入口的位置固定，所述离子输送管的出口的位置可调节。

可选的，所述离子输送管的入口的位置可调节，所述离子输送管的出口的位置固定。

可选的，所述动力机构包括处理器、电机和弹性部件；所述处理器与所述电机连接，所述处理器用于控制所述电机的运转；所述电机与所述弹性部件连接，所述电机用于控制所述弹性部件的长度；所述弹性部件与所述离子输送管的入口或出口连接，所述弹性部件用于调节所述离子输送管道的入口或出口的位置。

可选的，所述弹性部件为弹簧。