[实用新型]装载杯和包括该装载杯的化学机械抛光系统

说明书

本公开内容涉及装载杯以及包括该装载杯的化学机械抛光系统，所述装载杯包括环形基板站，所述环形基板站被配置为接收基板。环形基板站包围位于装载杯内的喷雾器。喷雾器包括一组激励流体喷嘴，所述一组激励流体喷嘴邻近在环形基板站与喷雾器之间的界面设置在喷雾器的上表面上。一组激励流体喷嘴被配置为相对于上表面以向上角度释放激励流体。

技术领域

本公开内容的实施例总体涉及基板处理，并且更具体地涉及基板处理工具及其方法。

背景技术

集成电路典型地通过在硅基板上顺序沉积导电层、半导电层或绝缘层来在基板上形成。制造包括在非平面表面上沉积填料层，并且将填料层平面化，直到暴露非平面表面。导电填料层可沉积在图案化绝缘层上，以填充绝缘层中的沟槽或孔洞。然后，抛光填料层，直到暴露绝缘层的凸起图案。在平面化之后，导电层的保留在绝缘层的凸起图案之间的部分形成在基板上的薄膜电路之间提供导电路径的通孔、插塞和线路。另外，可能需要平面化以平面化基板表面处的介电层以用于光刻。

化学机械抛光(CMP)是一种公认的平面化方法。此平面化方法包括将基板安装在CMP设备的承载头或抛光头上。基板的暴露表面抵靠旋转的抛光盘垫或带垫放置。承载头在基板上提供可控负载以将基板的器件侧推靠在抛光垫上。如果使用标准垫，则将包括至少一种化学反应剂和研磨颗粒的抛光浆料供应到抛光垫的表面。

基板典型地保持在承载头下方、抵靠保持环内的隔膜。此外，当基板在承载头中时，在基板的外边缘与保持环的内周边之间存在间隙。另外，在隔膜的外边缘与保持环的内周边之间存在间隙。这些间隙和在基板的外边缘附近的其他区域在处理期间可能积聚抛光浆料和有机残留物。这些残留物在处理期间可能保留在基板边缘上和/或移去，并且使基板出现缺陷并影响CMP设备的效率。因此，需要一种从基板边缘去除残留物和从包围基板的承载头中的间隙去除残留物的方法。还需要一种用于在将基板从承载头传送走之前从基板边缘去除残留物和用于从包围承载头的隔膜的间隙去除残留物的设备。

实用新型内容

在一个实施例中，提供了一种装载杯，所述装载杯具有：环形基板站，所述环形基板站被配置为接收基板；以及喷雾器，所述喷雾器位于装载杯内并且由环形基板站包围。喷雾器具有一组激励流体喷嘴，所述一组激励流体喷嘴邻近在环形基板站与喷雾器之间的界面设置在喷雾器的上表面上。一组激励流体喷嘴被配置为相对于上表面以向上角度释放激励流体。

在另一个实施例中，提供了一种清洁化学机械抛光系统的方法，所述方法包括：在设置在承载头中的基板的边缘处引导来自装载杯的一组激励流体喷嘴的激励流体。承载头具有保持环以将基板保持在承载头的隔膜下方。所述方法包括：从承载头卸载基板；以及将来自一组激励流体喷嘴的激励流体引导到形成在隔膜的外边缘与保持环的内周边之间的间隙。

在另一个实施例中，一种化学机械抛光系统包括承载头，所述承载头具有保持环以将基板保持在承载头的隔膜下方。化学机械抛光系统包括装载杯，所述装载杯具有一组激励流体喷嘴，所述一组激励流体喷嘴设置在承载头的外部部分的上表面上。一组激励流体喷嘴被配置为将激励流体引导到在隔膜的外边缘与保持环的内周边之间的间隙。

附图说明

为了可详细地理解本公开内容的上述特征，可参考实施例来得到以上简要地概述的本公开内容的更具体描述，实施例中的一些实施例在附图中示出。然而，需注意，附图仅示出了示例性实施例，并且因此不应被视为对其范围的限制，并且本公开内容可允许其他等效实施例。

图1描绘了根据实施例的化学机械抛光(CMP)系统的俯视平面图。

图2A描绘了根据实施例的抛光设备的局部侧视图。

图2B描绘了根据实施例的抛光设备的仰视图。

图3A描绘了根据实施例的装载杯的俯视平面图。

图3B描绘了根据实施例的喷嘴的喷雾图案的示意性侧视图。