[实用新型]一种Boost升压电路

说明书

本实用新型提供了一种Boost升压电路，MOS管的第一端与储能电感的第一端、输入滤波电容的第一端、Boost升压芯片的电压输入端和使能端共接于电压输入节点；MOS管的第二端与储能电感的第二端、二极管的正极连接；MOS管的第三端与Boost升压芯片的开关控制端连接；二极管的负极与反馈电路的第一端、输出滤波电容的第一端之间的共接点作为电压输出节点；反馈电路的第二端与所述Boost升压芯片的反馈电压输入端连接；输入滤波电容的第二端、反馈电路的第三端、Boost升压芯片的接地端以及输出滤波电容的第二端分别接地，从而提高了Boost升压电路的升压比，有效地解决了现有技术采用变压器升压带来的体积大、结构受限、损耗及成本较高的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种Boost升压电路。

背景技术

Boost升压电路是一种升压型的DC/DC变换电路。直流电经过Boost升压电路后，可以得到比直流电高压的另一直流电。Boost升压电路广泛应用于供电电压低于负载所需电压的场合中。

然而，现有的Boost升压电路的升压比有限，其输出电压和输入电压大小之比很难超过10。比如内置MOS管的Boost升压电路，尽管体积小、电路精简，但升压范围多在二十几伏以内，输出电压/输入电压升压比值较小。而在实现几伏升压至几百伏的应用中，通常需要使用线圈匝数很多的变压器，以实现超高的输出电压/输入电压升压比值。在利用变压器的大匝数比实现上百倍升压的电路方案中，由于变压器匝数多，体积大，从而导致电路所占体积大，对结构有一定要求，且成本较高；并且由于变压器是一种“电-磁-电”转换过程，铁损耗和铜损耗无法避免，从而导致电路存在较大的损耗。

实用新型内容

本实用新型提供一种Boost升压电路，以解决现有Boost升压电路在实现高升压比值时存在的体积大、结构受限、损耗及成本较高的问题。

本实用新型的是这样实现的，一种Boost升压电路，包括：

Boost升压芯片、MOS管、输入滤波电容、储能电感、二极管、反馈电路、输出滤波电容；

所述MOS管的第一端与所述储能电感的第一端、输入滤波电容的第一端、Boost升压芯片的电压输入端和使能端共接于电压输入节点；

所述MOS管的第二端与所述储能电感的第二端、二极管的正极连接；

所述MOS管的第三端与所述Boost升压芯片的开关控制端连接；

所述二极管的负极与所述反馈电路的第一端、所述输出滤波电容的第一端之间的共接点作为电压输出节点；

所述反馈电路的第二端与所述Boost升压芯片的反馈电压输入端连接；

所述输入滤波电容的第二端、反馈电路的第三端、所述Boost升压芯片的接地端以及所述输出滤波电容的第二端分别接地。

可选地，所述MOS管为高压N沟道MOS管；

所述高压N沟道MOS管的栅极与所述储能电感的第一端、输入滤波电容的第一端、Boost升压芯片的电压输入端和使能端共接于电压输入节点；

所述高压N沟道MOS管的漏极与所述储能电感的第二端、二极管的正极连接；

所述高压N沟道MOS管的源极与所述Boost升压芯片的开关控制端连接。

可选地，所述Boost升压芯片为内置MOS管的Boost升压芯片。

可选地，所述内置MOS管为N沟道MOS管；

所述Boost升压芯片的开关控制端连接内置MOS管的漏级，所述内置MOS管的栅极与芯片内部栅极驱动电路连接。

可选地，所述Boost升压芯片为TPS61040升压芯片。