[实用新型]一种Boost升压电路

权利要求书

1.一种Boost升压电路，其特征在于，包括：

Boost升压芯片、MOS管、输入滤波电容、储能电感、二极管、反馈电路、输出滤波电容；

所述MOS管的第一端与所述储能电感的第一端、输入滤波电容的第一端、Boost升压芯片的电压输入端和使能端共接于电压输入节点；

所述MOS管的第二端与所述储能电感的第二端、二极管的正极连接；

所述MOS管的第三端与所述Boost升压芯片的开关控制端连接；

所述二极管的负极与所述反馈电路的第一端、所述输出滤波电容的第一端之间的共接点作为电压输出节点；

所述反馈电路的第二端与所述Boost升压芯片的反馈电压输入端连接；

所述输入滤波电容的第二端、反馈电路的第三端、所述Boost升压芯片的接地端以及所述输出滤波电容的第二端分别接地。

2.如权利要求1所述的Boost升压电路，其特征在于，所述MOS管为高压N沟道MOS管；

所述高压N沟道MOS管的栅极与所述储能电感的第一端、输入滤波电容的第一端、Boost升压芯片的电压输入端和使能端共接于电压输入节点；

所述高压N沟道MOS管的漏极与所述储能电感的第二端、二极管的正极连接；

所述高压N沟道MOS管的源极与所述Boost升压芯片的开关控制端连接。

3.如权利要求1或2所述的Boost升压电路，其特征在于，所述Boost升压芯片为内置MOS管的Boost升压芯片。

4.如权利要求3所述的Boost升压电路，其特征在于，所述内置MOS管为N沟道MOS管；

所述Boost升压芯片的开关控制端连接内置MOS管的漏级，所述内置MOS管的栅极与芯片内部栅极驱动电路连接。

5.如权利要求4所述Boost升压电路，其特征在于，所述Boost升压芯片为TPS61040升压芯片。

6.如权利要求1或2所述的Boost升压电路，其特征在于，所述反馈电路包括：第一电阻、第二电阻和反馈电容；

所述第一电阻的第一端与所述反馈电容的第一端之间的共接点作为所述反馈电路的第一端；

所述第一电阻的第二端、所述反馈电容的第二端、所述第二电阻的第一端之间的共接点作为所述反馈电路的第二端；

所述第二电阻的第二端作为所述反馈电路的第三端。

7.如权利要求1或2所述的Boost升压电路，其特征在于，所述电压输入节点的输入电压为1.8V至6V。

8.如权利要求1或2所述的Boost升压电路，其特征在于，所述输入滤波电容的大小为4.7μF，所述输出滤波电容的大小为1μF，所述储能电感的大小为10μH。