[实用新型]一种晶圆处理设备及系统有效
申请号: | 202122541909.6 | 申请日: | 2021-10-21 |
公开(公告)号: | CN216528760U | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 史蒂文·贺·汪;林鹏鹏 | 申请(专利权)人: | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23F1/08;C25D5/48;C25D7/12 |
代理公司: | 北京市盈科律师事务所 11344 | 代理人: | 陈晨;申晨 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 设备 系统 | ||
本实用新型提供了一种晶圆处理设备及系统,用于晶圆的预润湿或腐蚀,包括第一箱体,用于通入晶圆处理液的容置腔,固定晶圆且可带动晶圆旋转的晶圆驱动盘,位于晶圆驱动盘上的驱动金属,位于第一箱体外部的驱动装置及电磁装置,驱动装置带动电磁装置转动,驱动金属在电磁感应的作用下随电磁装置转动,驱动金属带动晶圆驱动盘旋转。本实用新型利用电磁感应原理将驱动装置放在第一箱体外,实现对第一箱体内晶圆旋转的无源驱动,解决了驱动装置不能浸泡在晶圆处理液体中的问题。本实用新型的晶圆处理设备结构简单,可提高第一箱体的密封程度和抽真空效率,晶圆润湿或腐蚀时驱动晶圆旋转提高预润湿和腐蚀的均匀性,有利于提高晶圆处理的效率。
技术领域
本实用新型涉及晶圆制备领域,特别涉及一种晶圆处理设备及系统,处理在本实用新型中是指晶圆电镀前的预润湿或晶圆电镀后的腐蚀。
背景技术
晶圆在进行电镀之前,要先对晶圆进行浸润以及真空处理,否则会导致电镀不充分。通过预润湿可以使预润湿液体进入孔洞中,有利于下一步电镀工艺的进行,有利于提高晶圆的电镀品质。如果晶圆电镀前不进行预润湿的预处理,则在电镀过程中,由于电镀液的表面张力,电镀液与晶圆表面之间的固液界面极易形成气体气泡,从而引起晶圆的镀膜金属夹断(pinch off),进而在晶圆的特征底部留下空隙而导致缺陷,诸如电路线被阻断等。
晶圆在电镀后,会用到大量的化学药液,如硫酸或者氢氟酸,利用化学药液的腐蚀性,去除特定材料或者去除污染物,药液与晶圆表面接触的时间差异,会导致晶圆表面的不均匀腐蚀,会直接影响后续工艺的质量,从而芯片的性能变差,产品合格率下降。
为了对晶圆进行电镀前的预润湿或电镀后的腐蚀处理,可以将晶圆放在晶圆夹盘上,并将该晶圆夹盘设置在密闭室内,密闭室内灌入晶圆处理液体,晶圆处理液体的液面浸没晶圆夹盘所夹持的晶圆的部分区域,密闭室内的环境调节至真空并保证晶圆处理液体处于液相状态,晶圆夹盘的中心通过一传动杆连接至驱动器如旋转电机,传动杆在旋转电机的驱动下带动晶圆夹盘旋转,在该处理过程中,支架需保持转动状态,以带动晶圆转动。因为旋转电机不能浸泡在晶圆处理液体内,因此需要在旋转电机外加装密封外壳,如晶圆处理液体具有腐蚀性,密封外壳还需要使用耐腐蚀材料。现有技术的方案结构复杂、操作不便,而且需要对驱动器进行防水、耐腐蚀处理,增大加工难度和加工成本,如果防水外壳发生泄漏,晶圆处理液体进入驱动器还会带来安全隐患,晶圆处理液体也会被污染。此外,为了去除晶圆处理液体中的气泡以达到浸润或腐蚀的均匀,需要对密闭室抽真空,旋转电机等驱动装置至于密闭室内,为了保证密闭室的密封性需要对驱动装置的供电线路采取密封措施,设备加工难度和成本都会增加。因此,解决晶圆驱动装置的防水、耐腐蚀成为本领域技术人员亟待解决的问题。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种晶圆处理的设备及系统,可用于电镀前的晶圆预润湿或电镀后的晶圆腐蚀。
本实用新型是通过下述技术方案实现:
一种晶圆处理设备,用于晶圆的预润湿或腐蚀,包括第一箱体,第一箱体的内部具有容置腔,容置腔用于通入晶圆处理液体,晶圆处理设备还包括晶圆驱动盘,晶圆驱动盘设置在第一箱体的内部且可相对第一箱体旋转,晶圆驱动盘用于固定晶圆,以使晶圆随晶圆驱动盘旋转;晶圆驱动盘上设有至少一个驱动金属;晶圆处理设备还包括驱动装置,驱动装置设置在第一箱体的外部,驱动装置与电磁装置连接,驱动装置带动电磁装置转动,驱动金属在电磁感应的作用下随电磁装置转动,驱动金属带动晶圆驱动盘旋转。
在本技术方案中,通过采用以上结构,可将驱动装置放置在第一箱体外,实现对位于第一箱体内的晶圆进行无源驱动,以上结构简单,驱动装置位于第一箱体外有利于提高容置腔的密封性和抽真空效率,也不需要对驱动装置进行防水和耐腐蚀处理,同时还能为晶圆旋转提供动力,有利于提高晶圆的预润湿或腐蚀的效率,提高晶圆的润湿和腐蚀均匀性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新阳硅密(上海)半导体技术有限公司,未经新阳硅密(上海)半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122541909.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种消防应急双头照明灯具
- 下一篇:一种连接件、龙骨及其骨架结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造