[实用新型]一种晶圆处理设备及系统有效
申请号: | 202122541909.6 | 申请日: | 2021-10-21 |
公开(公告)号: | CN216528760U | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 史蒂文·贺·汪;林鹏鹏 | 申请(专利权)人: | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23F1/08;C25D5/48;C25D7/12 |
代理公司: | 北京市盈科律师事务所 11344 | 代理人: | 陈晨;申晨 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 设备 系统 | ||
1.一种晶圆处理设备,用于晶圆的预润湿或腐蚀,包括第一箱体,所述第一箱体的内部具有容置腔,所述容置腔用于通入晶圆处理液体,其特征在于,
所述晶圆处理设备还包括晶圆驱动盘,所述晶圆驱动盘设置在所述第一箱体的内部且可相对第一箱体旋转,所述晶圆驱动盘用于固定晶圆,以使晶圆随所述晶圆驱动盘旋转;所述晶圆驱动盘上设有至少一个驱动金属;
所述晶圆处理设备还包括驱动装置,所述驱动装置设置在所述第一箱体的外部,所述驱动装置与电磁装置连接,所述驱动装置带动所述电磁装置转动,所述驱动金属在电磁感应的作用下随电磁装置转动,所述驱动金属带动所述晶圆驱动盘旋转。
2.如权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,
所述驱动金属嵌入塑料中,形成驱动包覆金属。
3.如权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,
还包括连接臂,所述电磁装置通过所述连接臂与驱动装置连接,所述驱动装置位于所述晶圆驱动盘的圆心轴向延长线与第一箱体一侧外表面相交的位置;
所述驱动金属位于晶圆驱动盘上靠近驱动装置的一侧,所述电磁装置在驱动装置的驱动下旋转,所述电磁装置的旋转轨迹可以覆盖晶圆驱动盘上的至少一个驱动金属的电磁感应区域,进而发生电磁感应带动所述晶圆驱动盘旋转。
4.如权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,
所述晶圆驱动盘包括两个圆面、至少一个晶圆卡槽,晶圆放置于两个圆面之间,所述晶圆卡槽位于两个圆面之间用于固定晶圆,所述晶圆卡槽沿晶圆驱动盘圆周分布。
5.如权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,
所述第一箱体的侧壁设有抽气口、泄压口、泄压阀,所述抽气口用于连接抽气装置,所述抽气口位置高于所述容置腔内的晶圆处理液体的最高位置,所述第一箱体设有进液口及排液口,所述进液口用于输入晶圆处理液体,所述排液口用于排出所述晶圆处理液体,所述进液口和所述排液口位于第一箱体下侧。
6.如权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,
还包括驱动机构,所述驱动机构驱动晶圆处理设备从垂直位置向水平位置倾斜。
7.如权利要求6所述的晶圆处理设备,其特征在于,
所述晶圆处理设备在驱动机构的驱动下来回摆动。
8.如权利要求7所述的晶圆处理设备,其特征在于,
所述晶圆处理设备倾斜的角度为0-30度,所述晶圆处理设备摆动速率为0-1弧度/分钟。
9.一种晶圆处理系统,其特征在于,
所述晶圆处理系统包括如权利要求1-5中任意一项所述晶圆处理设备。
10.如权利要求9所述的晶圆处理系统,其特征在于,
所述晶圆处理系统还包括抽气装置及储液槽,所述抽气装置与所述晶圆处理设备相连通;所述储液槽用于存储晶圆处理液体,所述储液槽利用管道与所述晶圆处理设备相连通。
11.如权利要求10所述的晶圆处理系统,其特征在于,
所述晶圆处理系统还包括第一控制器、第一执行器及第一液位传感器,所述第一液位传感器设置在所述储液槽内,所述第一控制器与所述第一执行器、所述第一液位传感器通信连接;
其中,当所述储液槽内的晶圆处理液体的液位到达第一预设位置时,所述第一液位传感器用于向所述第一控制器发出充满信号;
当所述第一控制器接收到所述充满信号后,所述第一控制器用于向所述第一执行器发出关闭信号,所述第一执行器关闭所述储液槽的晶圆处理液体的入口。
12.如权利要求11所述的晶圆处理系统,其特征在于,
当所述储液槽内的晶圆处理液体的液位到达第一预设位置时,所述储液槽内的晶圆处理液体的体积大于在第一箱体内没过晶圆最高点所需的晶圆处理液体的体积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造