[实用新型]一种用于太阳能电池管式ALD沉积用铝舟有效
申请号: | 202122520426.8 | 申请日: | 2021-10-19 |
公开(公告)号: | CN216054614U | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 蔡新兴;朱露;张凯胜;孙铁囤 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 杨闯 |
地址: | 213213 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 ald 沉积 用铝舟 | ||
本实用新型涉及电池片生产设备技术领域,尤其是涉及一种用于太阳能电池管式ALD沉积用铝舟,包括两个端板以及固定在两个端板之间的左定杆组、右定杆组与若干中间杆组;左定杆组与位于最左侧的中间杆组之间以及右定杆组与位于最右侧的中间杆组之间均插设有挡片,相邻两个中间杆组之间插设有电池片。铝舟首尾均增加一列挡片可实现气体进入后接触挡片后进行匀流,再依次接触工艺硅片向炉尾流动保证均匀性,可保证气体完整通过工艺硅片后经由挡片再被尾泵管抽走,保证气流量不偏大,有效改善边片的均匀性。
技术领域
本实用新型涉及电池片生产设备技术领域,尤其是涉及一种用于太阳能电池管式ALD沉积用铝舟。
背景技术
铝舟是用于供电池片插设的的设备,铝舟在ALD炉内,电池片进行沉积时,由于此类管式ALD炉其整体气流方向为炉口进气,气体接触炉口第一槽硅片后分流延硅片向炉尾流动,炉尾泵抽将工艺气体排出,如图3所示,图3中虚线为气流流动的示意线,虚线上箭头为气流流动方向示意,这种方式易造成1、气体接触炉口硅片时硅片前半段反应气流量偏大,分布不均匀;2、炉尾泵管抽气时气流集中,炉尾硅片后半段来不及反应被抽走并且同样造成气流分布不均匀;3、由于第一个内槽齿与侧壁之间有一小块铝块用来将铝舟侧杆固定在铝舟上导致舟侧壁与边片的间距比槽内舟齿间距大,易造成边片接触的气流量偏大,导致边片的沉积速率偏高造成管内膜厚差异较大。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服现有技术中气流分布不均匀,易造成边片接触的气流量偏大,导致边片的沉积速率偏高造成管内膜厚差异较大的问题,提供一种用于太阳能电池管式ALD沉积用铝舟。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于太阳能电池管式ALD沉积用铝舟,包括两个呈上下布置的端板以及固定在两个端板之间的左定杆组、右定杆组与若干中间杆组,若干所述中间杆组沿X轴方向间隔布置,所述左定杆组位于最左侧中间杆组的左侧,所述右定杆组位于最右侧中间杆组的右侧;
左定杆组包括沿Y轴方向间隔布置的若干左定杆,所述左定杆右侧沿其轴线方向上间隔分布有若干第一齿槽;
右定杆组包括沿Y轴方向间隔布置的若干右定杆,所述右定杆左侧沿其轴线方向上间隔分布有若干第二齿槽;
中间杆组包括沿Y轴方向间隔布置的若干中间杆,所述中间杆左右两侧沿其轴线方向上均间隔分布有若干第三齿槽;
所述第一齿槽和第二齿槽一一对应,所述第一齿槽和其所相对布置的第三齿槽一一对应;
所述第一齿槽与其所对应的位于最左侧中间杆左侧的第三齿槽之间插设有挡片,所述第二齿槽与其所对应的位于最右侧中间杆右侧的第三齿槽之间插设有挡片,相邻两个中间杆的第三齿槽之间插设有电池片,铝舟首尾均增加一列挡片可实现气体进入后接触挡片后进行匀流,再依次接触工艺硅片向炉尾流动保证均匀性,可保证气体完整通过工艺硅片后经由挡片再被尾泵管抽走,保证气流量不偏大,有效改善边片的均匀性。
本实用新型的有益效果是:本实用新型提供的一种用于太阳能电池管式ALD沉积用铝舟,铝舟首尾均增加一列挡片可实现气体进入后接触挡片后进行匀流,再依次接触工艺硅片向炉尾流动保证均匀性,可保证气体完整通过工艺硅片后经由挡片再被尾泵管抽走,保证气流量不偏大,有效改善边片的均匀性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的剖视结构示意图;
图3是现有铝舟的结构示意图。
图中:1、端板,2、左定杆组,21、左定杆,211、第一齿槽,3、右定杆组,31、右定杆,311、第二齿槽,4、中间杆组,41、中间杆,411、第三齿槽,5、挡片,6、电池片。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造