[实用新型]一种提升PECVD镀膜均匀性的装置有效

专利信息
申请号: 202122492175.7 申请日: 2021-10-17
公开(公告)号: CN216473476U 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 张云鹏;王玉;赵科巍;杨飞飞;梁玲;李雪方 申请(专利权)人: 山西潞安太阳能科技有限责任公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 李富元
地址: 046000 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 提升 pecvd 镀膜 均匀 装置
【说明书】:

实用新型涉及太阳能电池生产领域,一种提升PECVD镀膜均匀性的装置,该装置安装在PECVD的炉管的口部内侧,包括双层管状结构、加强板,双层管状结构的夹层两端面密封,双层管状结构一端夹层密封面上有小孔,加强板有3‑4块,每块都加强板处于双层管状结构的外侧周壁上,且所有加强板处于同一个圆的圆周上,每块加强板上有一个贯穿加强板和双层管状结构外壁的带内螺纹的第一通孔,PECVD的炉管有与第一通孔配合的带螺纹的第二通孔,进气装置通过连接连接安装在第一通孔和第二通孔上。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池生产领域,特别涉及硅片PECVD镀膜过程保持稳定性领域。

背景技术

硅太阳能电池生产过程中,PECVD工艺是不可缺少的一道重要的工艺。

据测算,光在硅表面的反射损失率高达35%左右,减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率,有助于提高光生电流密度,进而提高转换效率,同时镀膜中的氢对于电池片表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小了暗电流,提升了开路电压,提高了光电转换效率;在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键,游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。

光伏太阳能PECVD工艺所需的气体包括硅烷、氨气和氮气等气体。

目前管式PECVD炉管进气方式为在前炉口内下部,安装一个Y字型的硅烷、氨气和氮气导流进气口,直径较大且仅是单一的通气方式。工艺气体从Y字型进气口进入炉管,工艺反应后,通过炉尾真空泵抽空实现气体的流动。这种工艺气体的进气在炉口内下部仅有1个进气口,很容易导致反应气体在炉管内分布不均匀,导致工艺镀膜均匀性较差。且Y字型进气口排布在炉口内下部很容易被炉管内小碎片挡住进气孔,导致镀膜异常。并且在清理炉管碎片时,很容易碰到Y字型进气口导致进气口损坏变形。

实用新型内容

本实用新型的目的是:解决由于炉管进气口气体不均匀的原因造成镀膜均匀性较差的问题,提高电池片的良率,同时避免炉管内小碎片挡住进气孔导致镀膜异常的现象,并且在清理炉管碎片时避免Y字型进气口易损坏的情况发生。

本实用新型所采用的技术方案是:一种提升PECVD镀膜均匀性的装置,该装置安装在PECVD的炉管(7)的口部内侧,包括双层管状结构(1)、加强板(2),双层管状结构(1)的夹层两端面密封,双层管状结构(1)一端夹层密封面上有小孔(3),加强板有3-4块,每块都加强板(2)处于双层管状结构(1)的外侧周壁上,且所有加强板(2)处于同一个圆的圆周上,每块加强板(2)上有一个贯穿加强板(2)和双层管状结构(1)外壁的带内螺纹的第一通孔(4),PECVD的炉管(7)有与第一通孔(4)配合的带螺纹的第二通孔,进气装置(5)通过连接连接安装在第一通孔(4)和第二通孔上。

作为一种优选方式:双层管状结构(1)夹层间距为0.8-1cm,双层管状结构(1)内层和外层壁厚都为1mm,加强板(2)厚度为5-10mm,加强板(2)的外表面与炉管(7)的内壁接触。

作为一种优选方式:第一通孔(4)靠近双层管状结构(1)夹层密封面无小孔的一端。

作为一种优选方式:PECVD的炉管(7)的口部内侧有与加强板(2)对应的凹槽(6),每个凹槽(6)与每个加强板(2)的外观形状、结构、大小完全相同,使用过程中,每个加强板(2)正好处于一个凹槽(6)中。

本实用新型的有益效果是:基于单一进气口容易发生堵塞的问题,本实用新型采用多个进气口同时进气,即使一个进气口发生堵塞,基于其它进气口小概率同时发生堵塞,采用多个进气口不仅能够减小堵塞的概率,几乎等同于0,且有效提高了双层管状结构内部气压的均匀性,通过每个小孔排出的气体压强和流量更为接近,炉管到从进气端到出气端的过程,气体更为均匀。基于双层管状结构夹层空间远大于圆环结构,避免了进气口对小孔的冲击,进一步减少由于冲击处气流压强高,导致出气不均的问题。最终减少了由于不均匀气流导致的问题。

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