[实用新型]图像传感器电荷信号干扰监测装置

说明书

本实用新型提供一种图像传感器电荷信号干扰监测装置，其包括像素监测结构，所述像素监测结构包括半导体基体、电荷传输晶体管、置于所述半导体基体中的光电转换区，通过图像传感器电荷信号干扰监测装置中电连接的像素监测结构、调节式电源及电压表，能够方便、高效、准确地监测出图像传感器的电荷信号干扰问题，可使用于产品量产工艺工程中，以对产品参数特性和质量品质稳定性进行监控，且可在产品芯片完工前进行测评分析，以及时发现不符合目标标准参数的产品，进行及时的分析处理，寻找原因，提供解决问题的方案，降低损失。因此，本实用新型的图像传感器电荷信号干扰监测装置可有效节省生产成本及时间成本。

技术领域

本实用新型涉及传感器技术领域，特别是涉及一种图像传感器电荷信号干扰监测装置。

背景技术

图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号的功能器件。其中，图像传感器包括CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor，互补型金属氧化物半导体)图像传感器和CCD(Charged CoupledDevice，电荷耦合器件)图像传感器两种类型，可广泛地应用于数码相机、移动手机、医疗器械、汽车和其他应用场合。

CCD图像传感器与CMOS图像传感器在不同的应用场景下各有优势，但随着制造CMOS图像传感器工艺和技术的快速发展与不断提升，以及高端CMOS价格的不断下降，CMOS占据越来越重要的地位，人们对CMOS图像传感器的图像品质的输出有了更高的要求。

在CMOS图像传感器中，设置有感光像素阵列，用来采集图像的光电信号信息，外界的光照射在像素阵列上，会发生光电效应，在像素单元内产生相应的电荷。通常像素阵列采用Bayer(拜耳)像素阵列布局方式，在Bayer像素阵列中，包含有红色、绿色和蓝色三种像素，三种像素中分别设置有光电二极管作为感光区，通过感光的光电二极管分别收集相应颜色的光的光电电荷。其中，光电二极管可能会在不同的曝光时间达到饱和，先饱和的光电二极管中会有多余的光电电荷溢出到传感器的衬底中，溢出的光电电荷会在衬底中移动至临近的光电二极管附近，进而被临近的光电二极管吸收，这种由光电二极管中溢出到衬底中的电荷又被临近的光电二极管吸收的现象，称为电荷信号干扰现象。

电荷信号干扰现象会引起图像传感器采集的图像中在高亮图像边缘发生粉色边或紫色边的问题，特别是针对小面积的图像传感器，相邻像素单元的感光光电二极管之间的距离较近，图像粉色边或紫色边的问题更容易发生。

在现有技术的图像传感器芯片批量生产工艺过程中，由于制造工艺精度的限制，芯片的特性和品质可能会发生波动，某些生产批次的芯片可能会有电荷信号干扰的问题，若发现不满足产品质量要求的问题芯片时，需要将其报废。

因此，提供一种可及时对图像传感器的电荷信号干扰进行监测的装置及监测方法，实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种图像传感器电荷信号干扰监测装置，用于解决现有技术中由于电荷信号干扰造成的产品质量及资源浪费的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种图像传感器电荷信号干扰监测装置，所述图像传感器电荷信号干扰监测装置包括：

像素监测结构，所述像素监测结构包括半导体基体、电荷传输晶体管、置于所述半导体基体中的光电转换区，其中，所述光电转换区的一侧与所述电荷传输晶体管的源极端相连，所述电荷传输晶体管的漏极端为漂浮扩散有源区，且所述半导体基体中还设置有基体接触区，所述基体接触区与所述半导体基体具有相同的导电类型并接地；

调节式电源，所述调节式电源的一端与所述光电转换区相连，所述调节式电源的另一端接地；

电压表，所述电压表的一端与所述漂浮扩散有源区相连，所述电压表的另一端接地。