[实用新型]图像传感器电荷信号干扰监测装置

权利要求书

1.一种图像传感器电荷信号干扰监测装置，其特征在于，所述图像传感器电荷信号干扰监测装置包括：

像素监测结构，所述像素监测结构包括半导体基体、电荷传输晶体管、置于所述半导体基体中的光电转换区，其中，所述光电转换区的一侧与所述电荷传输晶体管的源极端相连，所述电荷传输晶体管的漏极端为漂浮扩散有源区，且所述半导体基体中还设置有基体接触区，所述基体接触区与所述半导体基体具有相同的导电类型并接地；

调节式电源，所述调节式电源的一端与所述光电转换区相连，所述调节式电源的另一端接地；

电压表，所述电压表的一端与所述漂浮扩散有源区相连，所述电压表的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的监测装置，其特征在于：所述半导体基体中还设置有隔离区，所述隔离区包括第一隔离区、第二隔离区及第三隔离区，其中，所述第一隔离区位于所述漂浮扩散有源区远离所述光电转换区的一侧，所述第二隔离区及所述第三隔离区依次位于所述光电转换区远离所述漂浮扩散有源区的一侧，且所述基体接触区位于所述第二隔离区与所述第三隔离区之间。

3.根据权利要求1所述的监测装置，其特征在于：所述调节式电源的电压调节范围包括-1V～1V。

4.根据权利要求1所述的监测装置，其特征在于：所述半导体基体及所述基体接触区具有第一离子掺杂类型，所述光电转换区具有第二离子掺杂类型，且所述光电转换区上还设置有第一离子掺杂类型保护层，所述第一离子掺杂类型保护层具有接触开孔，所述调节式电源经由所述接触开孔与所述光电转换区连接。

5.根据权利要求1所述的监测装置，其特征在于：所述光电转换区、所述基体接触区及所述漂浮扩散有源区内设置有接触部，通过所述接触部形成欧姆接触。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的监测装置，其特征在于：所述半导体基体包括芯片区及切割道区，所述像素监测结构设置在所述切割道区。