[实用新型]射频功率芯片封装结构

权利要求书

1.一种射频功率芯片封装结构，其特征在于包括：封装框架以及被封装在所述封装框架内的射频功率芯片、输出匹配电路组件和第一焊盘，其中，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件固定设置在一封装基岛上，且所述射频功率芯片还与所述输出匹配电路组件电连接；以及，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件还与所述第一焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于：所述封装基岛、第一焊盘、封装框架固定设置在第一基板上，所述封装基岛和第一焊盘被封装在所述封装框架和第一基板之间。

3.根据权利要求2所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于：所述射频功率芯片和输出匹配电路组件与所述封装基岛导热连接，所述封装基岛与所述第一基板导热连接。

4.根据权利要求2所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于：所述第一焊盘与所述第一基板电连接。

5.根据权利要求2所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于：所述输出匹配电路组件包括第二基板和设置在所述第二基板上的输出匹配电路，所述第二基板固定设置在封装基岛上，且与所述封装基岛导热连接。

6.根据权利要求5所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于：所述第二基板上还设置有微带线和多个功能元件，该多个功能元件固定贴合在所述第二基板上，且该多个功能元件之间还经所述微带线电连接，并且，该多个功能元件还经所述微带线与输出匹配电路电连接。

7.根据权利要求6所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于：所述射频功率芯片上还设置有第二焊盘，所述第二基板上还设置有第三焊盘，所述第三焊盘与所述微带线电连接，所述第二焊盘经多个键合线与所述第三焊盘电连接。

8.根据权利要求6所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于：所述微带线还经多个键合线与所述第一焊盘电连接。

9.根据权利要求2所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于包括多个第一焊盘，该多个第一焊盘环绕分布在所述封装基岛的外围。

10.根据权利要求2所述的射频功率芯片封装结构，其特征在于：所述第一基板包括PCB板。