[实用新型]半导体电路

说明书

本实用新型公开一种半导体电路，该半导体电路包括金属基板、功率因数校正模块、第一散热器和第二散热器，所述第一散热器和所述第二散热器设于所述金属基板上，所述功率因数校正模块包括快恢复二极管、续流二极管和IGBT，所述快恢复二极管设于所述第一散热器上，所述续流二极管和所述IGBT设于所述第二散热器上。本实用新型所提出的半导体电路，功率因数校正模块的快速恢复二极管通过第一散热器进行散热，续流二极管和IGBT通过第二散热器进行散热，从而能够及时的将功率因数校正模块所产生的热量排出，避免功率因数校正模块局部升温过快，保证功率因数校正模块的可靠性，延长功率因数校正模块的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体领域，特别涉及一种半导体电路。

背景技术

半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，集成了智能控制IC和用于功率输出的IGBT、MOSFET、FRD等大功率器件及一些阻容元件，这些元器件通过锡基焊料焊接在铝基板上。

半导体电路集成了功率因数校正模块，半导体电路的功率因素可以衡量电力被有效利用的程度，功率因素值越大，代表其电力利用率越高，减少能量的损失。

功率因数校正模块是一种高频动力开关，其发热远远大于同等级的逆变模块，使用时，功率因数校正模块产生的热量较多，导致功率因数校正模块的温升较快，会使得产品发热不均衡，影响功率因数校正模块的正常使用，甚会导致功率因数校正模块直接失效。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提出一种半导体电路，旨在解决现有的半导体电路的功率因数校正模块温升过快的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种半导体电路，该半导体电路包括金属基板、功率因数校正模块、第一散热器和第二散热器，所述第一散热器和所述第二散热器设于所述金属基板上，所述功率因数校正模块包括快恢复二极管、续流二极管和IGBT，所述快恢复二极管设于所述第一散热器上，所述续流二极管和所述IGBT设于所述第二散热器上。

优选地，所述第一散热器和/或所述第二散热器与所述金属基板焊接的一面被分割为网状的多个小单元，并且在所述第一散热器和/或所述第二散热器与所述金属基板焊接的一面形成有若干纵横交错的排气槽。

优选地，所述第一散热器和/或所述第二散热器采用铜材制成。

优选地，所述半导体电路还包括设于所述金属基板上的三相逆变桥，所述三相逆变桥包括U相逆变桥、V相逆变桥和W相逆变桥，所述U相逆变桥、V相逆变桥和W相逆变桥分别用于与电机的三相绕组的引出端电连接。

优选地，所述U相逆变桥包括U相上桥IGBT和U相下桥IGBT，所述V相逆变桥包括V相上桥IGBT和V相下桥IGBT，所述W相逆变桥包括W相上桥IGBT和W相下桥IGBT。

优选地，所述U相逆变桥还包括U相上桥续流二极管和U相下桥续流二极管，所述V相逆变桥还包括V相上桥续流二极管和V相下桥续流二极管，所述W相逆变桥还包括W相上桥续流二极管和W相下桥续流二极管。

优选地，所述半导体电路还包括设于所述金属基板上的驱动芯片。

优选地，所述半导体电路还包括设于所述金属基板上的密封树脂。

优选地，所述半导体电路还包括设于所述金属基板上的引线端子，所述引线端子的一端与所述金属基板电连接，另一端显露于所述密封树脂的外部。

优选地，所述半导体电路还包括设于所述金属基板上的电路布线层。

与现有技术相比，本实用新型实施例的有益技术效果在于：