[实用新型]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括金属基板、功率因数校正模块、第一散热器和第二散热器，所述第一散热器和所述第二散热器设于所述金属基板上，所述功率因数校正模块包括快恢复二极管、续流二极管和IGBT，所述快恢复二极管设于所述第一散热器上，所述续流二极管和所述IGBT设于所述第二散热器上。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一散热器和/或所述第二散热器与所述金属基板焊接的一面被分割为网状的多个小单元，并且在所述第一散热器和/或所述第二散热器与所述金属基板焊接的一面形成有若干纵横交错的排气槽。

3.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述第一散热器和/或所述第二散热器采用铜材制成。

4.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，还包括设于所述金属基板上的三相逆变桥，所述三相逆变桥包括U相逆变桥、V相逆变桥和W相逆变桥，所述U相逆变桥、V相逆变桥和W相逆变桥分别用于与电机的三相绕组的引出端电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述U相逆变桥包括U相上桥IGBT和U相下桥IGBT，所述V相逆变桥包括V相上桥IGBT和V相下桥IGBT，所述W相逆变桥包括W相上桥IGBT和W相下桥IGBT。

6.根据权利要求5所述的半导体电路，其特征在于，所述U相逆变桥还包括U相上桥续流二极管和U相下桥续流二极管，所述V相逆变桥还包括V相上桥续流二极管和V相下桥续流二极管，所述W相逆变桥还包括W相上桥续流二极管和W相下桥续流二极管。

7.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，还包括设于所述金属基板上的驱动芯片。

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，还包括设于所述金属基板上的密封树脂。

9.根据权利要求8所述的半导体电路，其特征在于，还包括设于所述金属基板上的引线端子，所述引线端子的一端与所述金属基板电连接，另一端显露于所述密封树脂的外部。

10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体电路，其特征在于，还包括设于所述金属基板上的电路布线层。