[实用新型]一种薄膜生长设备

说明书

本实用新型提供一种薄膜生长设备，薄膜生长设备包括反应腔室，反应腔室内具有一个或多个出气结构，出气结构用于向反应腔室内输送反应气体，出气结构具有多个出气口，每个出气口对应一个出气方向，以便多个出气口对应不同的出气方向，这样就能够将反应气体通过多个方向上的出气口均匀的输送至反应腔室，反应气体在反应腔室内的密度较为均匀，最终在待处理衬底上形成的膜层的厚度的均匀性较高。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种薄膜生长设备。

背景技术

当前在半导体制备工艺中，对生长形成的薄膜厚度的均匀性要求越来越高。若生长形成的薄膜的厚度不均匀，即在晶圆衬底上，同一薄膜有的位置较厚，有的位置较薄，会导致晶圆容易出现翘曲，晶圆的翘曲度变大。晶圆的翘曲度变大会影响后续的半导体制备工艺，进而导致制造形成的半导体器件的良率降低。

因此，现在急需一种能够生长形成薄膜厚度的均匀性较高的薄膜生长设备。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种薄膜生长设备，能够生长形成厚度的均匀性较高的薄膜。

本申请实施例提供了一种薄膜生长设备，包括：反应腔室；

所述反应腔室内具有基台和一个或多个出气结构；所述基台用于放置待处理衬底，所述出气结构用于向所述反应腔室内输送反应气体；

所述出气结构具有多个出气口，每个出气口对应一个出气方向，以便多个出气口对应不同的出气方向，将反应气体均匀输送至所述反应腔室，在所述待处理衬底上形成厚度均匀的膜层。

可选地，所述出气结构包括出气部和输气部，所述出气部具有多个出气口，每个出气口对应一个出气方向，以便多个出气口对应不同的出气方向，所述出气部与所述输气部连接，所述输气部为圆筒结构。

可选地，所述出气部为中空的圆台结构、中空的棱台结构、中空的棱锥结构、中空的碗形结构、中空的六面体结构或中空的球形结构。

可选地，所述出气部具有朝向所述反应腔室侧壁的出气口。

可选地，所述出气部的侧壁具有多个出气口，每个出气口对应一个出气方向。

可选地，所述出气部靠近所述输气部的一侧表面沿远离所述输气部的方向延伸，所述出气部靠近所述输气部的一侧表面与所述输气部的侧壁形成的夹角范围为95°-110°。

可选地，所述出气口的特征尺寸范围为0.1毫米-1毫米。

可选地，所述出气口的形状为圆形。

可选地，所述多个出气口在所述出气结构上均匀分布。

可选地，还包括：控制器；

所述控制器用于控制输送所述反应气体的输送管道中的通气阀门打开，以便利用所述出气结构向所述反应腔室内输送反应气体。

本申请实施例提供的薄膜生长设备，薄膜生长设备包括反应腔室，反应腔室内具有一个或多个出气结构，出气结构用于向反应腔室内输送反应气体，出气结构具有多个出气口，每个出气口对应一个出气方向，以便多个出气口对应不同的出气方向，这样就能够将反应气体通过多个方向上的出气口均匀的输送至反应腔室，反应气体在反应腔室内的密度较为均匀，最终在待处理衬底上形成的膜层的厚度的均匀性较高。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1示出了一种薄膜生长设备的俯视结构示意图；