[实用新型]一种薄膜生长设备有效
| 申请号: | 202122372726.6 | 申请日: | 2021-09-27 | 
| 公开(公告)号: | CN215856318U | 公开(公告)日: | 2022-02-18 | 
| 发明(设计)人: | 陈广辉 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 | 
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/02 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 | 
| 地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 生长 设备 | ||
1.一种薄膜生长设备,其特征在于,包括:反应腔室;
所述反应腔室内具有基台和一个或多个出气结构;所述基台用于放置待处理衬底,所述出气结构用于向所述反应腔室内输送反应气体;
所述出气结构具有多个出气口,每个出气口对应一个出气方向,以便多个出气口对应不同的出气方向,将反应气体均匀输送至所述反应腔室,在所述待处理衬底上形成厚度均匀的膜层。
2.根据权利要求1所述的薄膜生长设备,其特征在于,所述出气结构包括出气部和输气部,所述出气部具有多个出气口,每个出气口对应一个出气方向,以便多个出气口对应不同的出气方向,所述出气部与所述输气部连接,所述输气部为圆筒结构。
3.根据权利要求2所述的薄膜生长设备,其特征在于,所述出气部为中空的圆台结构、中空的棱台结构、中空的棱锥结构、中空的碗形结构、中空的六面体结构或中空的球形结构。
4.根据权利要求3所述的薄膜生长设备,其特征在于,所述出气部具有朝向所述反应腔室侧壁的出气口。
5.根据权利要求3所述的薄膜生长设备,其特征在于,所述出气部的侧壁具有多个出气口,每个出气口对应一个出气方向。
6.根据权利要求3所述的薄膜生长设备,其特征在于,所述出气部靠近所述输气部的一侧表面沿远离所述输气部的方向延伸,所述出气部靠近所述输气部的一侧表面与所述输气部的侧壁形成的夹角范围为95°-110°。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜生长设备,其特征在于,所述出气口的特征尺寸范围为0.1毫米-1毫米。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜生长设备,其特征在于,所述出气口的形状为圆形。
9.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜生长设备,其特征在于,所述多个出气口在所述出气结构上均匀分布。
10.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜生长设备,其特征在于,还包括:控制器;
所述控制器用于控制输送所述反应气体的输送管道中的通气阀门打开,以便利用所述出气结构向所述反应腔室内输送反应气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122372726.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新风设备新型送风口
 - 下一篇:一种磨料磨具生产用混合搅拌装置
 
- 同类专利
 
- 专利分类
 
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





