[实用新型]辅助治具及干法蚀刻装置

说明书

本实用新型提供一种辅助治具及干法蚀刻装置，所述辅助治具包括：底板；侧壁，所述侧壁设置于所述底板的一侧，所述侧壁围绕所述底板的周边且朝向远离所述底板的方向突出，所述侧壁和所述底板共同限定出容置腔，所述容置腔的一端具有开口；其中，待蚀刻处理的样品自所述开口放置于所述底板上，所述样品的边缘不与所述侧壁的内表面接触，所述侧壁远离所述底板的顶表面突出于所述样品远离所述底板的第一表面。由辅助治具的侧壁遮挡作用，延伸等离子气体流通至光刻胶层的边缘的距离，降低光刻胶层边缘过蚀刻，提升光刻胶层的表面蚀刻均匀性。

技术领域

本实用新型属于半导体蚀刻技术领域，具体涉及一种辅助治具及干法蚀刻装置

背景技术

Mini/Micro-LED是第三代半导体照明器件的研究热点，受到世界各国研究人员的极大关注。Mini/Micro-LED为自发光显示技术，采用微型化LED数组结构，具备高亮度、高对比度、广色域、广视角、快速反应时间、轻薄及低耗电等优势。Mini/Micro-LED的应用范围非常广泛，在各个领域都有着广阔的前景。

Mini/Micro-LED器件的制作过程，通常包括：1)在形成于半导体底层上的导电层上形成光刻胶膜层，图形化光刻胶膜层形成光刻胶图形，和2)用所述图形作为掩模形成导电层图形。其中，形成光刻胶图形之前，通常需要对光刻胶膜层进行减薄处理，常用的减薄手段例如是干法蚀刻工艺，利用等离子气体和光刻胶薄膜气相固相反应进行减薄制程。

减薄制程中，等离子气体以相同的浓度存在蚀刻装置的整个反应腔室中，随着反应的进行，由于待蚀刻样品的光刻胶膜层边缘位置等离子气体的浓度高于光刻胶膜层中间位置等离子气体的浓度，进而造成待蚀刻样品的光刻胶膜层边缘位置蚀刻速率高于中间位置的现象，因此，减薄后的光刻胶膜层的出现边缘低中间高的形貌特征，即，减薄制程中，光刻胶膜层的蚀刻均一性低。而，边缘低中间高的形貌特征在后续光刻胶图形化的制程中，不能获得结构的清晰的光刻胶图形。

有鉴于此，本实用新型提出一种辅助治具，适用于干法蚀刻装置，克服上述光刻胶膜层减薄制程中，光刻胶膜层边缘的蚀刻速率大于光刻胶膜层中间的蚀刻速率导致的光刻胶膜层蚀刻均一性低的问题。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是如何提高光刻胶膜层减薄制程中，光刻胶表面蚀刻均一性。

为解决上述问题，本实用新型技术方案提供了一种辅助治具，适用于干法蚀刻装置，所述辅助治具包括：底板；侧壁，所述侧壁设置于所述底板的一侧，所述侧壁围绕所述底板的周边且朝向远离所述底板的方向突出，所述侧壁和所述底板共同限定出容置腔，所述容置腔的一端具有开口；其中，待蚀刻处理的样品自所述开口放置于所述底板上，所述样品的边缘不与所述侧壁的内表面接触，所述侧壁远离所述底板的顶表面突出于所述样品远离所述底板的第一表面。

作为可选的技术方案，所述样品包括半导体基板和设置于所述半导体基板远离所述底板一侧表面上的光刻胶层。

作为可选的技术方案，所述样品的边缘与所述侧壁的内表面之间间隔第一距离，所述第一距离小于20mm。

作为可选的技术方案，所述顶表面和所述第一表面之间间隔第二距离，所述第二距离大于5mm。

作为可选的技术方案，所述底板上设有内凹的第一凹槽，其中，所述样品放置于所述第一凹槽中，且所述样品的所述边缘不与所述第一凹槽的槽壁接触。

作为可选的技术方案，所述第一凹槽的底部还设有内凹的第二凹槽，所述第二凹槽的槽宽小于所述第一凹槽的槽宽，其中，所述样品放置于所述第二凹槽中，且所述样品的所述边缘不与所述第二凹槽的槽壁接触。

作为可选的技术方案，还包括遮罩，所述遮罩覆盖于所述顶表面上，所述遮罩包括贯孔，所述贯孔与所述开口连通。

作为可选的技术方案，所述贯孔的面积小于所述开口的面积。