[实用新型]辅助治具及干法蚀刻装置

权利要求书

1.一种辅助治具，适用于干法蚀刻装置，其特征在于，所述辅助治具包括：

底板；

侧壁，所述侧壁设置于所述底板的一侧，所述侧壁围绕所述底板的周边且朝向远离所述底板的方向突出，所述侧壁和所述底板共同限定出容置腔，所述容置腔的一端具有开口；

其中，待蚀刻处理的样品自所述开口放置于所述底板上，所述样品的边缘不与所述侧壁的内表面接触，所述侧壁远离所述底板的顶表面突出于所述样品远离所述底板的第一表面。

2.如权利要求1所述的辅助治具，其特征在于，所述样品包括半导体基板和设置于所述半导体基板远离所述底板一侧表面上的光刻胶层。

3.如权利要求1所述的辅助治具，其特征在于，所述样品的边缘与所述侧壁的内表面之间间隔第一距离，所述第一距离小于20mm。

4.如权利要求3所述的辅助治具，其特征在于，所述顶表面和所述第一表面之间间隔第二距离，所述第二距离大于5mm。

5.如权利要求1所述的辅助治具，其特征在于，所述底板上设有内凹的第一凹槽，其中，所述样品放置于所述第一凹槽中，且所述样品的所述边缘不与所述第一凹槽的槽壁接触。

6.如权利要求5所述的辅助治具，其特征在于，所述第一凹槽的底部还设有内凹的第二凹槽，所述第二凹槽的槽宽小于所述第一凹槽的槽宽，其中，所述样品放置于所述第二凹槽中，且所述样品的所述边缘不与所述第二凹槽的槽壁接触。

7.如权利要求1所述的辅助治具，其特征在于，还包括遮罩，所述遮罩覆盖于所述顶表面上，所述遮罩包括贯孔，所述贯孔与所述开口连通。

8.如权利要求7所述的辅助治具，其特征在于，所述贯孔的面积小于所述开口的面积。

9.如权利要求1所述的辅助治具，其特征在于，所述底板和所述侧壁一体成型。

10.一种干法蚀刻装置，其特征在于，所述干法蚀刻装置包括：

等离子气体发生装置；

金属网，所述金属网包括多个开口；

如权利要求1-9中任意一项所述的辅助治具；以及

待蚀刻处理的样品；

其中，所述待蚀刻处理的样品放置于所述辅助治具的容置腔内；所述辅助治具放置于所述金属网上；所述等离子气体发生装置产生的等离子气体自所述容置腔的开口朝向所述样品流通，以减薄所述样品中基板一侧表面上的光刻胶层。