[实用新型]一种抗摔型半导体芯片有效
申请号: | 202122365193.9 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN215590118U | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 邱碧凤 | 申请(专利权)人: | 邱碧凤 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;B32B9/04;B32B27/36;B32B27/32;B32B33/00;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373 |
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地址: | 510000 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗摔型 半导体 芯片 | ||
1.一种抗摔型半导体芯片,包括半导体芯片本体(1),其特征在于:所述半导体芯片本体(1)包括有第一性能层(2)和第二性能层(3),所述第一性能层(2)的底部与第二性能层(3)的顶部设置,所述第一性能层(2)包括有抗氧化层(201)、第一抗摔层(202)和散热层(203),所述抗氧化层(201)的底部与第一抗摔层(202)的顶部设置,所述第一抗摔层(202)的底部与散热层(203)的顶部设置,所述第二性能层(3)包括有耐高温层(301)、第二抗摔层(302)和防水层(303),所述耐高温层(301)的底部与第二抗摔层(302)的顶部设置,所述第二抗摔层(302)的底部与防水层(303)的顶部设置。
2.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片,其特征在于:所述抗氧化层(201)是由一种石磨抗氧化涂料制成。
3.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片,其特征在于:所述第一抗摔层(202)是由一种聚碳酸酯材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片,其特征在于:所述散热层(203)是由一种石墨烯材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片,其特征在于:所述耐高温层(301)是由一种陶瓷纤维材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片,其特征在于:所述第二抗摔层(302)是由一种聚四氟乙烯材料制成。
7.根据权利要求1所述的一种抗摔型半导体芯片,其特征在于:所述防水层(303)是由一种聚氨酯防水涂料制成。
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