[实用新型]一种CVD法制备碳纳米管进气喷口

说明书

本申请提供了一种CVD法制备碳纳米管进气喷口，属于化学气相沉积炉技术领域。该一种CVD法制备碳纳米管进气喷口，包括炉体和混合件。所述混合件包括抽气泵、混合箱、第一进气管和第二进气管，所述抽气泵出气端与所述炉体连通，所述混合辊与所述进气槽出气口对应设置，所述混合箱内固定连接有混合球，所述混合球与所述第一进气管出气端对应设置，所述出气槽与所述混合箱之间均间隔分布有出气孔，且所述抽气泵进气端与所述出气槽连通。通过本装置的设计，整体设计优化常规的炉体的设计，使其在实际使用时，可以对通入的气体进行充分的混合，降低影响反应的效果，同时，一定程度上避免对品质的影响。

技术领域

本申请涉及化学气相沉积炉技术领域，具体而言，涉及一种CVD法制备碳纳米管进气喷口。

背景技术

CVD又称化学气相沉积，是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，目前，基本均通过化学气相沉积炉进行化学气相沉积制备，在实际使用时，一般需要导入多种气体，例如：保护气体和碳源气体，但是，参考常规的化学气相沉积炉设计，多种气体进入炉体中时，混合并不够均匀，影响反应效果，同时，也影响整体制备的品质。

实用新型内容

为了弥补以上不足，本申请提供了一种CVD法制备碳纳米管进气喷口，旨在改善化学气相沉积炉进气喷口无法对气体进行均匀混合的问题。

本申请实施例提供了一种CVD法制备碳纳米管进气喷口，包括炉体和混合件。

所述混合件包括抽气泵、混合箱、第一进气管和第二进气管，所述抽气泵出气端与所述炉体连通，所述第一进气管连通于所述混合箱底部，所述混合箱内分别开设有进气槽和出气槽，所述进气槽与所述第二进气管连通，所述混合箱内转动连接有混合辊，所述混合辊与所述进气槽出气口对应设置，所述混合箱内固定连接有混合球，所述混合球与所述第一进气管出气端对应设置，所述出气槽与所述混合箱之间均间隔分布有出气孔，且所述抽气泵进气端与所述出气槽连通。

在上述实现过程中，通过炉体进行加工，通过第一进气管和第二进气管与外部气源连通，通过第一进气管与第二进气管输送气体，输送过程中，通过第一进气管的气体被送入到混合球内，通过混合球分散排出，通过第二进气管输送的气体通过进气槽最终分散排出，通过混合辊与所述进气槽出气口对应设置的设计，最终驱动混合辊转动，使其对气体进行充分混合，当气体流量无法驱动混合辊转动时，通过进气槽分散和混合球分散同样加强气体之间的稀释混合，同时，通过出气孔间隔分布设置以及出气槽和出气管配合，最终便于进入到出气管内的气体充分混合，通过抽气泵送入到炉体内，通过本装置的设计，整体设计优化常规的炉体的设计，使其在实际使用时，可以对通入的气体进行充分的混合，降低影响反应的效果，同时，一定程度上避免对品质的影响。

在一种具体的实施方案中，所述抽气泵底部设置有支撑块，所述支撑块固定连接于所述炉体侧壁。

在上述实现过程中，通过支撑块固定连接于所述炉体侧壁设计，使其通过炉体对支撑块支撑，抽气泵放置于支撑块上表面。

在一种具体的实施方案中，所述混合箱侧壁设置有压力表，所述压力表一端贯穿于所述混合箱且延伸至内部。

在上述实现过程中，通过压力表设置便于知晓混合箱内的气体压力情况。

在一种具体的实施方案中，所述混合箱底部四周均固定连接有支撑腿。

在上述实现过程中，通过支撑腿设计实现对混合箱的支撑，支撑腿设置为四个。

在一种具体的实施方案中，所述混合辊包括辊体和支撑叶，所述辊体转动连接于所述混合箱内，所述支撑叶等角度分布于所述辊体外壁。

在上述实现过程中，通过辊体转动带动支撑叶转动，实际使用时，通过混合辊与进气槽对应设置，通过第二进气管对混合箱内部冲入气体，通过气体和支撑叶配合带动辊体和支撑叶转动，使其混合。