[实用新型]晶控结构、真空腔体以及真空镀膜机

说明书

本申请涉及一种晶控结构、真空腔体以及真空镀膜机，所述晶控结构包括：包括设于真空腔体顶部的晶控探头，在所述晶控探头的晶片外部设有磁场结构；所述磁场结构产生的磁场至少覆盖所述晶片外表面范围；其中，参杂在蒸发膜料中的电子和/或带电粒子在磁力的作用下改变运动方向，偏离晶片表面，不带电的成膜原子能穿过磁场沉积在晶片上；该技术方案，通过磁场作用来偏转电子和/或带电粒子，减少了受电子或带电粒子干扰对晶片干扰，使得镀在晶片上的是更高纯度的膜料，从而提高了晶控检测的精确度。

技术领域

本申请涉及真空镀膜机技术领域，特别是一种晶控结构、真空腔体以及真空镀膜机。

背景技术

在离子束辅助薄膜沉积系统中，真空镀膜机的真空腔体内的成膜效果通常使用晶控来监测，其工作原理是：利用晶体的振荡频率与晶体固有质量存在对应关系的原理来测量镀在晶片上的膜层厚度，当膜料镀在晶片上时，晶片质量增加，导致整体振荡频率变小，通过计算得出单位时间内晶片表面增加的质量，再根据膜料的密度等参数最终算出膜层厚度和蒸发速率。

常用的晶控结构，晶控探头上的晶片外面是很平整的，没有其它的阻挡物，导致晶片面积内蒸发上来的膜料能被充分的沉积，但是，如果离子束中有电子或带电粒子，也会一起沉积在晶片上。而且，离子源发射的离子束流直接射向晶片，特别是其启动瞬间或束流出现不稳定的情况下，也会对晶片的震荡频率产生一定影响，从而影响监测结果。

综上所述，现有的晶控结构存在容易受电子或带电粒子干扰，影响了晶控检测精确度。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述技术缺陷之一，提供一种晶控结构、真空腔体以及真空镀膜机，减少电子或带电粒子干扰对晶片干扰，提升晶控检测的精度。

一种晶控结构，包括设于真空腔体顶部的晶控探头，在所述晶控探头的晶片外部设有磁场结构；

所述磁场结构产生的磁场至少覆盖所述晶片外表面范围；其中，参杂在蒸发膜料中的电子和/或带电粒子在磁力的作用下改变运动方向，偏离晶片表面，不带电的成膜原子能穿过磁场沉积在晶片上。

在一个实施例中，在所述晶片外围还设有一个挡片；其中，所述挡片垂直于所述晶片表面，靠近于离子源一侧。

在一个实施例中，所述磁场结构包括南北极相对设置的第一磁铁和第二磁铁；其中，第一磁铁和第二磁铁平行设于所述晶片两侧。

在一个实施例中，所述第一磁铁包括磁极相反的磁铁模块a和磁铁模块b，第二磁铁包括磁极相反的磁铁模块c和磁铁模块d；

所述磁铁模块a与磁铁模块c南北极相对设置且位于所述晶片外围一侧，磁铁模块b与磁铁模块d相对设置且位于所述晶片外围另一侧；

所述磁铁模块a与磁铁模块c产生的磁场和所述磁铁模块b与磁铁模块d产生的磁场至少覆盖所述晶片外表面范围。

在一个实施例中，所述磁场结构包括一个径向环形磁铁，其中，所述径向环形磁铁的内环直径至少大于所述晶片直径，所述径向环形磁铁贴在所述晶片下部。

在一个实施例中，所述径向环形磁铁为径向多极环形磁铁。

在一个实施例中，所述磁场结构包括：电源以及串联连接的第一感应线圈和第二感应线圈；其中，所述第一感应线圈和第二感应线圈相对设于所述晶片两侧；第一感应线圈和第二感应线圈串联后接入所述电源。

在一个实施例中，所述电源包括连接控制器的第一电源和第二电源；

所述第一感应线圈包括感应线圈A和感应线圈B，所述第二感应线圈包括感应线圈C和感应线圈D；

所述感应线圈A与感应线圈B相对设置且位于所述晶片外围一侧，感应线圈C与感应线圈D相对设置且位于所述晶片外围另一侧；