[实用新型]晶控结构、真空腔体以及真空镀膜机

权利要求书

1.一种晶控结构，包括设于真空腔体顶部的晶控探头，其特征在于，在所述晶控探头的晶片外部设有磁场结构；

所述磁场结构产生的磁场至少覆盖所述晶片外表面范围；其中，参杂在蒸发膜料中的电子和/或带电粒子在磁力的作用下改变运动方向，偏离晶片表面，不带电的成膜原子能穿过磁场沉积在晶片上。

2.根据权利要求1所述的晶控结构，其特征在于，在所述晶片外围还设有一个挡片；其中，所述挡片垂直于所述晶片表面，靠近于离子源一侧。

3.根据权利要求1或2所述的晶控结构，其特征在于，所述磁场结构包括南北极相对设置的第一磁铁和第二磁铁；其中，第一磁铁和第二磁铁平行设于所述晶片两侧。

4.根据权利要求3所述的晶控结构，其特征在于，所述第一磁铁包括磁极相反的磁铁模块a和磁铁模块b，第二磁铁包括磁极相反的磁铁模块c和磁铁模块d；

所述磁铁模块a与磁铁模块c南北极相对设置且位于所述晶片外围一侧，磁铁模块b与磁铁模块d相对设置且位于所述晶片外围另一侧；

所述磁铁模块a与磁铁模块c产生的磁场和所述磁铁模块b与磁铁模块d产生的磁场至少覆盖所述晶片外表面范围。

5.根据权利要求1或2所述的晶控结构，其特征在于，所述磁场结构包括一个径向环形磁铁，其中，所述径向环形磁铁的内环直径至少大于所述晶片直径，所述径向环形磁铁贴在所述晶片下部。

6.根据权利要求5所述的晶控结构，其特征在于，所述径向环形磁铁为径向多极环形磁铁。

7.根据权利要求1或2所述的晶控结构，其特征在于，所述磁场结构包括：电源以及串联连接的第一感应线圈和第二感应线圈；其中，所述第一感应线圈和第二感应线圈相对设于所述晶片两侧；第一感应线圈和第二感应线圈串联后接入所述电源。

8.根据权利要求7所述的晶控结构，其特征在于，所述电源包括连接控制器的第一电源和第二电源；

所述第一感应线圈包括感应线圈A和感应线圈B，所述第二感应线圈包括感应线圈C和感应线圈D；

所述感应线圈A与感应线圈B相对设置且位于所述晶片外围一侧，感应线圈C与感应线圈D相对设置且位于所述晶片外围另一侧；

所述感应线圈A与感应线圈B串联连接到第一电源，所述感应线圈C与感应线圈D串联连接到第二电源；其中，感应线圈A与感应线圈B的第一磁感应方向与感应线圈C与感应线圈D的第二磁感应方向相反；

所述感应线圈A与感应线圈B产生的磁场和感应线圈C与感应线圈D产生的磁场共同至少覆盖所述晶片外表面范围；

所述控制器用于控制第一电源和第二电源的电流方向和大小。

9.一种真空腔体，其特征在于，包括：权利要求1-8任一项所述的晶控结构。

10.一种真空镀膜机，其特征在于，包括权利要求9所述的真空腔体。