[实用新型]一种多晶硅基体金属消解加热装置

说明书

本实用新型公开了一种多晶硅基体金属消解加热装置，包括加热盘、控制台、传动机构以及通风橱，加热盘可转动地设置在控制台上，传动机构连接转轴；加热盘的上表面设有多个样品放置区域，所有的样品放置区域沿周向间隔地设置在加热盘上的与转轴同轴的同一个圆周上；加热盘设于通风橱内，且通风橱的顶部开设有正投影落于样品放置区域所在的圆周上的试剂加入孔。本实用新型采用旋转式的加热盘固定在通风橱内，在加热盘旋转的过程中，各样品可随加热盘进行转动，在加入试剂时，只需在通风橱上固定的试剂加入孔操作加入试剂即可，可以为各样品的消解过程创造一个相对稳定、一致的环境，减少消解过程中对样品的污染，保证多晶硅基体金属检测的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅检测技术领域，尤其涉及一种多晶硅基体金属消解加热装置。

背景技术

多晶硅基体金属检测属于痕量检测，检测结果达到ppt(part per trillion，万亿分率)级别，检测过程中有效控制污染是获得准确数据的有效方法。

现有技术中，多晶硅样品消解过程中的加热装置采用的是电热板，通过固定装置将电热板固定在试验台上，各样品在电热板上的摆放位置始终固定不变。试剂加入过程中，人的身体部位经过试剂杯上方极易造成污染物落入消解样品中，因此，此种固定的加热装置不利于试剂的加入，也导致消解过程中每个样品所处环境不同，空白及平行样检测结果均有一定差距。

实用新型内容

鉴于现有技术存在的不足，本实用新型提供了一种多晶硅基体金属消解加热装置，可以为各样品的消解过程创造一个相对稳定、一致的环境，减少消解过程中对样品的污染，保证多晶硅基体金属检测的稳定性。

为了实现上述的目的，本实用新型采用了如下的技术方案：

一种多晶硅基体金属消解加热装置，包括加热盘、控制台、传动机构以及内设容纳空间的通风橱，所述加热盘通过其底部的转轴可转动地设置在所述控制台上，所述传动机构连接所述转轴以驱动所述加热盘绕其轴心旋转；所述加热盘的上表面设有多个样品放置区域，所有的所述样品放置区域沿周向间隔地设置在所述加热盘上的与所述转轴同轴的同一个圆周上；所述加热盘设于所述通风橱内，且所述通风橱的顶部开设有正投影落于所述样品放置区域所在的所述圆周上的试剂加入孔。

作为其中一种实施方式，所述传动机构包括驱动马达、连接所述驱动马达的主动齿轮以及固定在所述转轴上、与所述主动齿轮啮合的从动齿轮，所述驱动马达固定在所述控制台上，用于驱动所述主动齿轮转动，以带动所述加热盘旋转。

作为其中一种实施方式，所述控制台容纳于所述通风橱内。

作为其中一种实施方式，所述多晶硅基体金属消解加热装置还包括设于所述通风橱外的线控装置，所述通风橱的侧壁开设有过线孔，所述传动机构的信号线穿过所述过线孔后与所述线控装置连接。

作为其中一种实施方式，所述试剂加入孔为多个，间隔地设置在所述通风橱的顶部。

作为其中一种实施方式，所述控制台包括顶板和自所述顶板背向所述加热盘延伸的筒状侧壁，所述筒状侧壁的底部固定在所述通风橱的底板上，与所述顶板配合将所述传动机构包围于其中。

作为其中一种实施方式，所述通风橱的左右两侧侧壁上分别开设有进气孔和排气孔。

作为其中一种实施方式，所述加热盘还包括设于其上表面的对位标记，所述通风橱的顶部内表面固定有传感器，所述传感器与所述对位标记正对时，所述试剂加入孔与其中一个所述样品放置区域正对。

本实用新型采用旋转式的加热盘固定在通风橱内，在加热盘旋转的过程中，其上的多个部位的样品可随加热盘进行转动，在加入试剂时，只需在通风橱上固定的试剂加入孔操作加入试剂即可，可以为各样品的消解过程创造一个相对稳定、一致的环境，减少消解过程中对样品的污染，保证多晶硅基体金属检测的稳定性。

附图说明