[实用新型]一种微型LED芯片、显示装置及发光装置

说明书

本申请提供了一种微型LED芯片、显示装置及发光装置。其中，所述微型LED芯片包括衬底、第一半导体层、微型LED单元阵列，所述微型LED单元阵列设置于所述第一半导体层上方，相邻所述微型LED单元之间设有金属网格线，每个所述微型LED单元包括第二电极，所述微型LED芯片四周边缘处设有第一电极，所述金属网格线与所述第一电极电连接。本申请提供的微型LED芯片，可最大限度地利用外延片面积，从而制备获得高质量Micro‑LED器件，实现高PPI、高分辨率微显示屏。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体而言，涉及一种微型LED芯片、显示装置及发光装置。

背景技术

微型LED(Micro-LED)是近年来一种新兴半导体技术，由于其高亮度、高稳定性、刷新频率快等特征，被认为有望成为未来AR/VR显示的主要技术。为了配合AR/VR应用，发展超高亮度和超高PPI(Pixels Per Inch每英寸像素数量)的micro-LED微显示屏变得至关重要。

然而，现有技术中，P电极与N电极分别设置与P型半导体和N型半导体电连接，P电极与N电极占据外延片较大面积，使得外延片上LED单元的面积较小，PPI较低。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种微型LED芯片、显示装置及发光装置。本申请提供的微型LED芯片，可最大限度地利用外延片面积，从而制备获得高质量Micro-LED器件，实现高PPI、高分辨率微显示屏。

为实现上述目的，本申请提供了一种微型LED芯片，包括衬底、第一半导体层、微型LED单元阵列，所述微型LED单元阵列设置于所述第一半导体层上方，相邻所述微型LED单元之间设有金属网格线，每个所述微型LED单元包括第二电极，所述微型LED芯片四周边缘处设有第一电极，所述金属网格线与所述第一电极电连接。

可选地，所述金属网格线的宽度小于相邻所述微型LED单元之间的间隔，且小于所述微型LED单元的宽度。本申请通过在微型LED单元之间穿插金属网格线，并与微型LED芯片四周边缘处的第一电极电连接，从而极大地提高了外延片的利用率，增大了电流均匀性。

可选地，所述微型LED单元还包括第二半导体层和多量子阱结构，所述第二半导体层设置于所述多量子阱结构的上方。

可选地，所述微型LED单元还包括电流扩散层，所述电流扩散层设置于所述第二半导体层与所述第二电极之间，所述第二电极通过所述电流扩散层与所述第二半导体层电连接。

可选地，所述电流扩散层为单层金属层或多层金属层结构。

可选地，所述电流扩散层包括镍金金属、以铝为主的金属、氧化铟锡中的任一种，优选为镍/金双层金属层结构，其中，镍金属层与金金属层的厚度比为1:1。

可选地，所述微型LED单元四周设有钝化层，用以隔离微型LED单元，避免短路。

可选地，所述金属网格线上方设有钝化层，用以保护金属网格线，并避免金属网格线与第二电极电连接。

可选地，所述钝化层的材料可以是二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或多种。

可选地，所述第一电极和所述第二电极上设有接触焊盘，所述接触焊盘分别与所述第一电极和所述第二电极电连接，所述接触焊盘用于实现所述微型LED芯片与外电路的电连接。

可选地，所述接触焊盘包括铟、钛、铝、镍、金、铬、铂中的一种或多种。

可选地，所述第一电极、所述第二电极、所述金属网格线采用多层金属层结构。

可选地，所述第一电极、所述第二电极、所述金属网格线包括钛、铝、金、铬、镍、铂中的一种或多种。