[实用新型]一种微型LED芯片、显示装置及发光装置有效
| 申请号： | 202122158321.2 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN216054759U | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;张珂 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京睿康信诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11685 | 代理人： | 李建国 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微型 led 芯片 显示装置 发光 装置 | ||
1.一种微型LED芯片，其中，所述微型LED芯片包括衬底、第一半导体层、微型LED单元阵列，所述微型LED单元阵列设置于所述第一半导体层上方，相邻所述微型LED单元之间设有金属网格线，每个所述微型LED单元包括第二电极，所述微型LED芯片四周边缘处设有第一电极，所述金属网格线与所述第一电极电连接。
2.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其中，所述金属网格线的宽度小于所述微型LED单元的宽度。
3.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其中，所述微型LED单元还包括第二半导体层和多量子阱结构，所述第二半导体层设置于所述多量子阱结构的上方。
4.根据权利要求3所述的微型LED芯片，其中，所述微型LED单元还包括电流扩散层，所述电流扩散层设置于所述第二半导体层与所述第二电极之间，所述第二电极通过所述电流扩散层与所述第二半导体层电连接。
5.根据权利要求4所述的微型LED芯片，其中，所述电流扩散层为单层金属层或多层金属层结构。
6.根据权利要求4所述的微型LED芯片，其中，所述电流扩散层包括镍金金属、以铝为主的金属、氧化铟锡中的任一种。
7.根据权利要求6所述的微型LED芯片，其中，所述电流扩散层为镍/金双层金属层结构，镍金属层与金金属层的厚度比为1:1。
8.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其中，所述微型LED单元四周或/和所述金属网格线上方设有钝化层。
9.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其中，所述第一电极和所述第二电极上设有接触焊盘，所述接触焊盘分别与所述第一电极和所述第二电极电连接。
10.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述金属网格线采用多层金属层结构。
11.根据权利要求10所述的微型LED芯片，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述金属网格线采用钛/铝/钛/金多层金属层结构。
12.一种显示装置，其中，所述显示装置包括权利要求1至11中任一项所述的微型LED芯片。
13.一种发光装置，其中，所述发光装置包括权利要求1至11中任一项所述的微型LED芯片。
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