[实用新型]短路缺陷的检测结构及用于存储器的检测系统有效
申请号: | 202122131132.6 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN215680614U | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 周晟文;杜剑晗 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
地址: | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 短路 缺陷 检测 结构 用于 存储器 系统 | ||
本实用新型提供了一种短路缺陷的检测结构及用于存储器的检测系统。在该检测结构中使其中至少一条导线连接至接地端口而构成第一导线,并使第一导线相邻的至少一条导线以未连接至接地端口设定而构成第二导线,从而可直接观察第一导线和第二导线在电子束作用下的明暗度,而判断出第二导线和第一导线是否发生短路的问题。本实用新型提供的检测结构可采用较为简单便利的检测手段,且能够快速直接的得到检测结果,能够对对应的制备工艺进行实时高效的监控。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种短路缺陷的检测结构及用于存储器的检测系统。
背景技术
在利用半导体技术加工制备器件的过程中,为判断所形成的器件是否符合工艺要求,通常会在器件的制作过程中或制作完成后经一系列的测试。例如,针对器件中的多条导线而言,即需要利用对应的检测结构对其多条导线的状况进行检测监控,有利于提高器件加工的成品率。
随着半导体技术的日益成熟,超大规模集成电路迅速发展,具有更好性能和更强功能的集成电路要求更大的原件密度,元件之间的间距尺寸也随之缩小。针对线间距较小的结构而言,将更容易发生线间短路,影响性能。因此,对短路缺陷进行检测相当重要,然而现有的用于检测短路缺陷的检测结构的检测过程较为繁琐。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种短路缺陷的检测结构及用于存储器的检测系统,以简化缺陷的检测过程。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种短路缺陷的检测结构,所述检测结构具有至少一个测试单元,所述测试单元包括至少两条平行延伸的导线,至少两条导线中至少一条导线连接至接地端口而构成第一导线,并且与所述第一导线相邻的至少一条导线以未连接至接地端口设定而构成第二导线;在电子束的作用下使所述第一导线和所述第二导线产生明暗度以判断出所述第二导线和所述第一导线是否短路。
可选的,所述测试单元包括多条依次平行排布的导线,并且每一条第一导线两侧紧邻的两条导线均以未连接至接地端口设定。
可选的,所述测试单元包括多条依次平行排布的导线,并且每一条第二导线两侧紧邻的两条导线均连接至接地端口。
可选的,所述测试单元包括多条依次平行排布的导线,并且间隔设置的导线均连接至接地端口。
可选的,所述第一导线均连接至同一互连线,所述互连线连接至所述接地端口。
可选的,所述第一导线对应设置有与之连接的接触插塞,所述接触插塞的两端分别连接所述第一导线和所述互连线。
可选的,所述导线的材料包括钨。
可选的,所述检测结构具有至少两个测试单元,位于不同测试单元中的导线分别沿着不同方向延伸。
本实用新型还提供了一种用于存储器的检测系统,包括:如上所述的检测结构,所述检测结构包括第一测试单元和第二测试单元。其中,所述第一测试单元中的多条导线与存储器中的位线同方向延伸,在电子束的作用下使所述第一测试单元中的多条导线产生明暗度,以判断出所述第一测试单元中的导线是否存在短路缺陷,并以第一测试单元的判断结果推断出存储器中的位线是否存在短路缺陷而导致电流泄露。以及,所述第二测试单元中的多条导线与存储器中的字线同方向延伸,在电子束的作用下使所述第二测试单元中的多条导线产生明暗度,以判断出所述第二测试单元中的导线是否存在短路缺陷,并以第二测试单元的判断结果推断出存储器中的字线是否存在短路缺陷而导致电流泄露。
可选的,所述第一测试单元中的多条导线的排布密度和多条位线的排布密度相同,所述第二测试单元中的多条导线的排布密度和多条字线的排布密度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造