[实用新型]短路缺陷的检测结构及用于存储器的检测系统

权利要求书

1.一种短路缺陷的检测结构，其特征在于，所述检测结构具有至少一个测试单元，所述测试单元包括至少两条平行延伸的导线；至少两条导线中至少一条导线连接至接地端口而构成第一导线，并且与所述第一导线相邻的至少一条导线以未连接至接地端口设定而构成第二导线；在电子束的作用下使所述第一导线和所述第二导线产生明暗度以判断出所述第二导线和所述第一导线是否发生短路。

2.如权利要求1所述的短路缺陷的检测结构，其特征在于，所述测试单元包括多条依次平行排布的导线，并且每一条第一导线两侧紧邻的两条导线均以未连接至接地端口设定。

3.如权利要求1所述的短路缺陷的检测结构，其特征在于，所述测试单元包括多条依次平行排布的导线，并且每一条第二导线两侧紧邻的两条导线均连接至接地端口。

4.如权利要求1所述的短路缺陷的检测结构，其特征在于，所述测试单元包括多条依次平行排布的导线，并且间隔设置的导线均连接至接地端口。

5.如权利要求1所述的短路缺陷的检测结构，其特征在于，所述第一导线均连接至同一互连线，所述互连线连接至所述接地端口。

6.如权利要求5所述的短路缺陷的检测结构，其特征在于，所述第一导线对应设置有与之连接的接触插塞，所述接触插塞的两端分别连接所述第一导线和所述互连线。

7.如权利要求1所述的短路缺陷的检测结构，其特征在于，所述导线的材料包括钨。

8.如权利要求1所述的短路缺陷的检测结构，其特征在于，所述检测结构具有至少两个测试单元，位于不同测试单元中的导线分别沿着不同方向延伸。

9.一种用于存储器的检测系统，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的检测结构，所述检测结构包括第一测试单元和第二测试单元；

其中，所述第一测试单元中的多条导线与存储器中的位线同方向延伸，在电子束的作用下使所述第一测试单元中的多条导线产生明暗度，以判断存储器中的位线是否存在电流泄露；

以及，所述第二测试单元中的多条导线与存储器中的字线同方向延伸，在电子束的作用下使所述第二测试单元中的多条导线产生明暗度，以判断存储器中的字线是否存在电流泄露。

10.如权利要求9所述的用于存储器的检测系统，其特征在于，所述第一测试单元中的多条导线的排布密度和多条位线的排布密度相同，所述第二测试单元中的多条导线的排布密度和多条字线的排布密度相同。