[实用新型]一种提高MIM电容布线资源的版图结构

说明书

本实用新型涉及电容技术领域，尤其是一种提高MIM电容布线资源的版图结构，包括下电极层，所述下电极层的顶部设置有介质层，所述介质层上沿单纵向或单横向规则排列有多组通孔，且介质层上设置有走线区，所述通孔的顶部覆盖有上电极层，所述上电极层的延伸方向与通孔的排列方向相同、且通过通孔与介质层连通,减少通孔和上电极层连线的空间，提高了其它布线资源的利用，从而解布线困难问题,因此可能会减少Metal层数，或者减少扩大面积的机会，从而减少成本。

技术领域

本实用新型涉及电容技术领域，尤其涉及一种提高MIM电容布线资源的版图结构。

背景技术

超大规模集成电路中，电容是常用的无源器件之一。其中，MIM电容是集成电路中的重要元器件，MIM电容是利用上下两层metal之间的C,即电极层电容，上电极层为MN,下电极层为MN-1,因为普通的MN和MN-1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以C并不大。故MIM会引入一层介质层CTM,这一层做在MN-1上面，MN下面，用VIA(通孔)与MN相连。

传统的MIM电容版图结构如附图的图1所示，传统的MIM电容版图设计方法是先设计一层下电极层,接着设计一层介质层,然后在介质层上打通孔并且打满，最后上电极层通过通孔与介质层连接，上电极层和介质层可以完全重合.MIM电容在产品中大面积应用下，MIM电容的上电极层和下电极层会占据非常多的metal布线资源，占据非常大的metal布线空间，从而导致metal布线资源紧缺,因此需要增加面积来获得更多的布线空间，或者需要增加metal层数来解决布线紧缺的问题，因此需要增加芯片面积，或者需要增加metal层数，从而增加成本。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在布线资源紧缺等缺点，而提出的一种提高MIM电容布线资源的版图结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

设计一种提高MIM电容布线资源的版图结构，包括下电极层，所述下电极层的顶部设置有介质层，所述介质层上沿单纵向或单横向规则排列有多组通孔，且介质层上设置有走线区，所述通孔的顶部覆盖有上电极层，所述上电极层的延伸方向与通孔的排列方向相同、且通过通孔与介质层连通。

优选的，所述通孔纵向排列有四组，所述上电极层与走线区平行设置。

优选的，所述通孔为横向排列有五组，所述上电极层与走线区平行设置。

优选的，所述通孔横向排列有两组，所述走线区呈U型结构,所述通孔设置在走线区的开口内侧。

优选的，所述走线区包括至少一组线区，两组以上所述线区能够设置在上电极层的两侧或边侧。

本实用新型提出的一种提高MIM电容布线资源的版图结构，有益效果在于：通过减少通孔和上电极层连线的空间，提高了其它布线资源的利用，从而解布线困难问题,因此可能会减少Metal层数，或者减少扩大面积的机会，从而减少成本。

附图说明

图1现有技术中MIM电容的结构示意图；

图2为本实用新型提出的一种提高MIM电容布线资源的版图结构的实施例一结构示意图；

图3为本实用新型提出的一种提高MIM电容布线资源的版图结构的实施例一的另一结构示意图；

图4为本实用新型提出的一种提高MIM电容布线资源的版图结构的实施例二结构示意图；

图5为本实用新型提出的一种提高MIM电容布线资源的版图结构的实施例二的另一结构示意图；

图6为本实用新型提出的一种提高MIM电容布线资源的版图结构的实施例三结构示意图。

图中：1、下电极层；2、介质层；3、通孔；4、走线区；401、线区；5、上电极层。

具体实施方式