[实用新型]一种使用于晶体炉的电极法兰有效
申请号: | 202122112884.8 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN215593239U | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 史晓莉;戴永成;戴永丰 | 申请(专利权)人: | 浙江臻强精密机械股份有限公司 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00;C30B28/12;C30B29/06;C30B29/36;F16B1/02 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 燕宏伟 |
地址: | 314100 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 晶体 电极 法兰 | ||
一种使用于晶体炉的电极法兰,用于将电极组件安装于晶体炉盖板上,所述晶体炉盖板上开设有电极安装孔,所述电极安装孔的周向外侧设置有卡接槽,所述卡接槽上开设有螺纹孔,所述使用于晶体炉的电极法兰包括固定环,所述固定环的中部开设有电极通孔,所述固定环上于电极通孔的周围间隔设置有固定块,相邻的固定块之间形成有流道槽,所述固定块上贯穿开设有安装孔,所述固定块覆盖在晶体炉盖板的螺纹孔上。该使用于晶体炉的电极法兰通过将所述固定环嵌入晶体炉盖板连接固定,使得外部晶体炉盖板能够具有多个电极通孔,使其在加热时,晶体炉内的原料粉受热均匀,设置在所述固定坏上的流道槽能够帮助电极散热,使其能够长时间做功,提高加工效率。
技术领域
本实用新型涉及晶体炉固定环技术领域,特别涉及一种使用于晶体炉的电极法兰。
背景技术
晶体炉是生产单晶硅、多晶硅、碳化硅的的制造设备。主要由炉体、加热器、计算机控制系统、设备框架、真空抽气系统等部分组成。将原料放入坩埚中,通过加热器对坩埚加热,原料直接气化升华后再籽晶上结晶。在碳化硅晶体炉中采用电阻加热线圈对坩埚加热。在晶体生产过程中需要对电阻加热线圈进行冷却处理,然而现有的晶体生长炉真空管冷却机构大都依靠设置在炉壁上的冷却管进行冷却,而法兰仅起到密封作用,这无疑降低了冷却效率。在中国专利CN201520060392.0中公开了一种晶体生长炉加热体,其通过多个硼化锆石墨复合U型发热体安装在炉底上,其冷端从炉底穿出,相临的两个冷端由发热体夹具连接在一起,使其变成冷端-热端-冷端-热端的串接结构,按此方式连接的硼化锆石墨复合U型发热体组成完成的加热体结构,只通过一组接线端即可完成对所有硼化锆石墨复合U型发热体供电。
上述结构虽不需要另加一套水冷系统对接线端进行冷却,但是硼化锆材料价格昂贵,制造成本高,不利于企业控制成本。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种可以用较低价格达到较高散热效果的使用于晶体炉的电极法兰,以满足工业需求。
一种使用于晶体炉的电极法兰,用于将一电极组件安装于一晶体炉盖板上,其特征在于:所述晶体炉盖板上开设有两个电极安装孔,所述电极安装孔的周向外侧设置有卡接槽,所述卡接槽上开设有至少两个螺纹孔,电极组件中设置有冷却流道,所述使用于晶体炉的电极法兰包括一个固定环,所述固定环的中部开设有一个电极通孔,所述固定环上于电极通孔的周围间隔设置有至少两个固定块,两个相邻的固定块之间形成有流道槽,所述固定块上贯穿开设有安装孔,安装孔进一步贯穿固定环,所述安装孔与螺纹孔相对,所述固定块覆盖在晶体炉盖板的螺纹孔上,至少一个流道槽与冷却流道的入口连通,至少一个流道槽与冷却流道的出口连通。
进一步地,所述固定块的形状为扇形。
进一步地,所述螺纹孔、固定块及流道槽的数量均为四个,四块所述固定块之间的间隔距离相同。
进一步地,所述固定块的外径尺寸小于所述固定环主体的外径尺寸。
进一步地,所述电极通孔朝向所述固定块的端面上设置有阶梯槽,所述阶梯槽深度为0.5~1mm。
进一步地,所述固定环的厚度为8~10mm。
与现有技术相比,本实用新型提供的使用于晶体炉的电极法兰通过将所述固定环嵌入晶体炉盖板连接固定,使得外部晶体炉盖板能够具有多个电极通孔,使其在加热时,晶体炉内的原料粉受热均匀,设置在所述固定环上的流道槽能够帮助电极散热,使其能够长时间做功,提高加工效率。
附图说明
图1为本实用新型提供的使用于晶体炉的电极法兰的结构示意图。
图2为使用于晶体炉的电极法兰的另一角度的结构示意图。
图3为晶体炉盖板的部分结构示意图。
具体实施方式
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