[实用新型]一种薄膜吸气剂结构

说明书

本实用新型公开了一种薄膜吸气剂结构，包括衬底和薄膜吸气剂，衬底上具有凹槽腔体，凹槽腔体内壁为密集多孔结构，薄膜吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中。通过这种结构，不仅能够大大增加该结构的吸气剂的有效面积和吸气剂的量，增强吸气剂的吸气效能，延长使用寿命；而且吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中，密集型孔洞结构和沉积薄膜吸气剂相结合形成的衔接结构发挥出了铆钉一样的效用，大大增加了薄膜吸气剂和侧壁、底部衬底结构的粘附性，可有效避免薄膜脱落造成的器件污染和损毁。

技术领域

本实用新型专属于高真空MEMS器件封装领域，具体涉及一种薄膜吸气剂结构。

背景技术

目前，高真空MEMS封装领域对于电子器件内部的真空度和使用寿命要求越来越高，如何在低成本，简化工艺的前提下保持MEMS器件内部的真空度成为一项技术难点。现如今最常用的保持真空度的方式是使用薄膜吸气剂持续吸收真空器件腔体内部残余气体及腔体内壁后期释放的气体，从而达到维持MEMS电子器件内部真空度的要求。

MEMS封装器件的发展趋势是趋向小型化、低重量等特点。而作为维持器件内部真空度的薄膜吸气剂的吸气性能主要和其表面积及材料特性有关。在材料特性相差不大的情况下，薄膜吸气剂表面积越大，吸气性能越强，维持真空度就越久，如何在有限的空间沉积表面积足够大的薄膜吸气剂是一项技术难点，此外，保持薄膜吸气剂和镀膜区域的粘附性也是一项关键技术点，处理不好会导致薄膜吸气剂脱落损毁电子封装器件内部，造成器件永久失灵。目前有相关专利技术在腔体内部制备凸点和凹槽的垂直立体三维结构来增大吸气剂的沉积面积，此方法确实可增大薄膜吸气剂沉积面积，但是增大的面积有限，仍然存在二维薄膜吸气剂结构有效面积少的问题，而且普通三维凸点和凹槽的垂直立体结构侧壁粘附性差，垂直侧壁沉积的薄膜吸气剂极易脱落，污染器件内部，工艺稳定性较弱。

实用新型内容

针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供一种薄膜吸气剂和侧壁的粘附性得到明显提高的薄膜吸气剂结构。

为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种薄膜吸气剂结构，包括衬底和薄膜吸气剂，所述衬底上具有凹槽腔体，所述凹槽腔体内壁为密集多孔结构，所述密集多孔结构上设有薄膜吸气剂，所述薄膜吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中，增加了薄膜和侧壁结构的粘附性。

作为优选，所述衬底上具有凹槽腔体一侧的表面和凹槽腔体底面也为密集多孔结构，所述密集多孔结构上设有薄膜吸气剂，所述薄膜吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中。

作为优选，所述薄膜吸气剂呈铆钉状钉设于所述密集多孔结构的孔隙中。

作为优选，所述薄膜吸气剂通过沉积钉设于所述密集多孔结构中。

作为优选，所述衬底为硅衬底。

作为优选，所述密集多孔结构的孔隙尺寸为200nm～2μm；所述密集多孔结构的孔隙深度为200nm～5μm。

通过优化多孔结构的尺寸和孔隙深度，使之与需要沉积的薄膜吸气剂的厚度更加匹配。且优化后的多孔结构凹凸面可以较好地呈现于沉积后的薄膜上，增加薄膜的粘附性和表面积。

作为优选，所述薄膜吸气剂的厚度为微米级。

本实用新型所产生的有益效果为：

本薄膜吸气剂结构中，衬底的腔体内壁为密集多孔结构，吸气剂薄膜钉设于密集多孔结构的孔隙中，通过这种结构，不仅能够大大增加该结构的吸气剂的有效面积和吸气剂的量，增强吸气剂的吸气效能，延长使用寿命；而且吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中，密集型孔洞结构和沉积薄膜吸气剂相结合形成的衔接结构发挥出了铆钉一样的效用，大大增加了薄膜吸气剂和侧壁、底部衬底结构的粘附性，可有效避免薄膜脱落造成的器件污染和损毁。

附图说明

图1为本实用新型的薄膜吸气剂结构的结构示意图。