[实用新型]一种薄膜吸气剂结构有效
申请号: | 202122106059.7 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN215756430U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 赵龙;杨晓杰;李海涛;姚浩强;高玉波;赵雪城 | 申请(专利权)人: | 安徽光智科技有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 朱伟雄 |
地址: | 239064 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 吸气 结构 | ||
1.一种薄膜吸气剂结构,其特征在于,包括衬底和薄膜吸气剂,所述衬底上具有凹槽腔体,所述凹槽腔体内壁为密集多孔结构,所述密集多孔结构上设有薄膜吸气剂,所述薄膜吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中。
2.根据权利要求1所述的薄膜吸气剂结构,其特征在于,所述衬底上具有凹槽腔体一侧的表面和凹槽腔体底面也为密集多孔结构,所述薄膜吸气剂钉设于密集多孔结构的孔隙中。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜吸气剂结构,其特征在于,所述薄膜吸气剂呈铆钉状钉设于所述密集多孔结构的孔隙中。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜吸气剂结构,其特征在于,所述薄膜吸气剂通过沉积钉设于所述密集多孔结构上。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜吸气剂结构,其特征在于,所述衬底为硅衬底。
6.根据权利要求1或2所述的薄膜吸气剂结构,其特征在于,所述密集多孔结构的孔隙直径为200nm~2μm;所述密集多孔结构的孔隙深度为200nm~5μm。
7.根据权利要求1或2所述的薄膜吸气剂结构,其特征在于,所述薄膜吸气剂的厚度为微米级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽光智科技有限公司,未经安徽光智科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122106059.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。