[实用新型]一种生产良品率高的MOCVD反应腔有效
申请号: | 202122093293.0 | 申请日: | 2021-09-01 |
公开(公告)号: | CN215628279U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 田青林;黎静;陈淼 | 申请(专利权)人: | 江苏实为半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/44 |
代理公司: | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人: | 谢冰 |
地址: | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生产 良品率高 mocvd 反应 | ||
本实用新型公开了一种生产良品率高的MOCVD反应腔,包括反应室、滤杂机构;反应室上连接有入气管;滤杂机构安装于入气管上,滤杂机构包括滤杂箱,滤杂箱上连接有进气管,入气管和进气管均与滤杂箱内部相连通,滤杂箱内设有抽拉式过滤机构,抽拉式过滤机构包括安装件,用于安装第一筛网、第二筛网和转轴,进而可以对反应气体进行过滤;安装件滑动设于滤杂箱内,方便工作人员取下安装件,以便对第一筛网和第二筛网进行清洁。本实用新型通过反应室上相应机构的设置,可以对反应气体进行过滤,使得油污或其他颗粒不易倒吸到反应腔内,保证反应腔内MOCVD的反应质量,提高MOCVD的生产良品率,从而可以保证生产者的经济收益。
技术领域
本实用新型属于MOCVD生产设备技术领域,具体涉及一种生产良品率高的MOCVD反应腔。
背景技术
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD的原理是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
MOCVD在生产加工时,需要用到反应室,通过将反应气体导入到反应室的反应腔内进行加热反应,现有的反应室缺乏抽拉式过滤机构,导致油污或其他颗粒容易倒吸到反应室的反应腔内,进而降低反应腔内MOCVD的反应质量,造成MOCVD生产良品率低,从而影响生产者的经济收益。
因此,针对上述技术问题,有必要提供一种生产良品率高的MOCVD反应腔。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种生产良品率高的MOCVD反应腔,以解决上述的反应室因缺乏抽拉式过滤机构而造成生产良品率低的问题。
为了实现上述目的,本实用新型一实施例提供的技术方案如下:
一种生产良品率高的MOCVD反应腔,包括反应室、滤杂机构;
所述反应室上连接有入气管;
所述滤杂机构安装于所述入气管上,所述滤杂机构包括滤杂箱,所述滤杂箱上连接有进气管,所述入气管和进气管均与滤杂箱内部相连通,所述滤杂箱内设有抽拉式过滤机构。
进一步地,所述抽拉式过滤机构包括安装件,用于安装第一筛网、第二筛网和转轴,进而可以对反应气体进行过滤;
所述安装件滑动设于所述滤杂箱内,方便工作人员取下安装件,以便对第一筛网和第二筛网进行清洁,保证第一筛网和第二筛网对于反应气体的过滤效果;
所述安装件上分别设有第一筛网和第二筛网,所述第一筛网设于安装件靠近进气管的一侧,用于分层过滤反应气体中的杂质。
进一步地,所述安装件的一对侧壁上均连接有滑板,所述滤杂箱的内侧壁上设有滑槽,所述滑板滑动设于滑槽内,通过滑板在滑槽内滑动,便于工作人员取下安装件。
进一步地,所述安装件上固定连接有把手,方便工作人员握持,以便取下安装件。
进一步地,所述安装件内设有转轴,用于安装扇叶,
所述转轴的两端与安装件侧壁之间均转动连接有轴承,当进气管内通入反应气体时,反应气体吹动扇叶,使得扇叶围绕转轴转动。
进一步地,所述转轴的侧壁上固定连接有多个扇叶,用于与通入的反应气体相接触,进而可以使得扇叶转动;
所述扇叶远离转轴的一面上设有多个均匀分布的刷毛,当扇叶转动时,扇叶上的多个刷毛可以滚刷第一筛网和第二筛网,使得第一筛网和第二筛网不易被阻塞,保证第一筛网和第二筛网对于反应气体的滤杂效果。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的