[实用新型]一种生产良品率高的MOCVD反应腔有效
申请号: | 202122093293.0 | 申请日: | 2021-09-01 |
公开(公告)号: | CN215628279U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 田青林;黎静;陈淼 | 申请(专利权)人: | 江苏实为半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/44 |
代理公司: | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人: | 谢冰 |
地址: | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生产 良品率高 mocvd 反应 | ||
1.一种生产良品率高的MOCVD反应腔,其特征在于,包括:
反应室,所述反应室上连接有入气管;
滤杂机构,安装于所述入气管上,所述滤杂机构包括滤杂箱,所述滤杂箱上连接有进气管,所述入气管和进气管均与滤杂箱内部相连通,所述滤杂箱内设有抽拉式过滤机构。
2.根据权利要求1所述的一种生产良品率高的MOCVD反应腔,其特征在于,所述抽拉式过滤机构包括安装件,所述安装件滑动设于所述滤杂箱内,所述安装件上分别设有第一筛网和第二筛网,所述第一筛网设于安装件靠近进气管的一侧。
3.根据权利要求2所述的一种生产良品率高的MOCVD反应腔,其特征在于,所述安装件的一对侧壁上均连接有滑板,所述滤杂箱的内侧壁上设有滑槽,所述滑板滑动设于滑槽内。
4.根据权利要求2所述的一种生产良品率高的MOCVD反应腔,其特征在于,所述安装件上固定连接有把手。
5.根据权利要求2所述的一种生产良品率高的MOCVD反应腔,其特征在于,所述安装件内设有转轴,所述转轴的两端与安装件侧壁之间均转动连接有轴承。
6.根据权利要求5所述的一种生产良品率高的MOCVD反应腔,其特征在于,所述转轴的侧壁上固定连接有多个扇叶,所述扇叶远离转轴的一面上设有多个均匀分布的刷毛。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的