[实用新型]单片式射频等离子扫胶设备有效
| 申请号: | 202122083973.4 | 申请日: | 2021-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN216145594U | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
| 发明(设计)人: | 王大伟;孙晓波;李永生 | 申请(专利权)人: | 无锡奥威赢科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
| 地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单片 射频 等离子 设备 | ||
1.单片式射频等离子扫胶设备,包括设备主体(1),其特征在于:所述设备主体(1)上主要包括片盒放置机构(2)、晶圆搬运机器人(3)、圆片校正机构(4)和真空反应腔体系统(5)。
2.根据权利要求1所述的单片式射频等离子扫胶设备,其特征在于,所述片盒放置机构(2)包括安装架(21)、固定卡板(22)、移动卡板(23)和片盒(24);所述安装架(21)的顶部一端可拆卸安装有所述固定卡板(22),另一端可拆卸锁紧有所述移动卡板(23),所述固定卡板(22)和所述移动卡板(23)之间卡紧有所述片盒(24);
且所述固定卡板(22)的两端均对称开设有若干阶梯卡槽(25),所述移动卡板(23)上开设有两个平行的腰型槽(26),所述安装架(21)的顶部上开设有与所述腰型槽(26)相配合锁紧的一字型槽(27),两个所述一字型槽(27)呈八字型对称分布设置。
3.根据权利要求1所述的单片式射频等离子扫胶设备,其特征在于,所述晶圆搬运机器人(3)的机械臂(31)采用陶瓷手臂材质制成,且所述机械臂(31)的最外端顶部开设有真空吸附槽(32),所述真空吸附槽(32)开设的数量至少为两个,呈由内至外的环形槽结构依次设置。
4.根据权利要求1所述的单片式射频等离子扫胶设备,其特征在于,所述圆片校正机构(4)包括校正架(41)和校正板(42);所述校正架(41)的顶部周向设有若干所述校正板(42),每个所述校正板(42)的顶部由上至下依次开设有若干阶梯放置槽(43)。
5.根据权利要求1所述的单片式射频等离子扫胶设备,其特征在于,所述真空反应腔体系统(5)包括射频电离室(51)、真空反应腔(52)和自动开关门机构(53);所述真空反应腔(52)的顶部设有所述射频电离室(51),所述射频电离室(51)的内部包括石英腔(511)、射频正极(512)、射频负极(513)和绝缘片(514);
所述石英腔(511)的外壁上周向设有绝缘片(514),所述绝缘片(514)上连接有所述射频正极(512),所述射频正极(512)包括环形正极圈和正极片,所述环形正极圈的内壁周向设有所述正极片;所述射频负极(513)包括环形负极圈和负极片,所述环形负极圈嵌设于所述石英腔(511)的外壁上,所述环形负极圈的顶部周向设有所述负极片,所述正极片和所述负极片之间均匀交错设置。
6.根据权利要求5所述的单片式射频等离子扫胶设备,其特征在于,所述真空反应腔(52)与所述石英腔(511)相连通,所述石英腔(511)的顶部设置连通有进气管(515),所述真空反应腔(52)包括铝制腔体(521)、分层石英盘(522)、加热台(523)、圆片托起机构(524)和真空计(525);所述铝制腔体(521)的内腔上部嵌设有所述分层石英盘(522),所述铝制腔体(521)的内腔下部设有所述加热台(523),所述铝制腔体(521)上还设有所述真空计(525),所述真空计(525)的检测端位于所述铝制腔体(521)内部。
7.根据权利要求6所述的单片式射频等离子扫胶设备,其特征在于,所述石英腔(511)的内腔顶部还包括设置的与所述进气管(515)相连通的布气盘(516),所述布气盘(516)的底部呈弧形球面结构设置,且所述布气盘(516)的弧形球面上均匀开设有若干第一布气孔;
所述分层石英盘(522)包括至少两层石英盘结构,且所述分层石英盘(522)上均匀开设有若干第二布气孔;
所述真空反应腔(52)上还包括设置的抽真空管路(526)和安装于所述抽真空管路(526)上的真空蝶阀(527)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





