[实用新型]一种用于栅极分隔线的刻蚀机构

说明书

本申请公开了一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，刻蚀机构包括接地件、第一电极件、至少一个绝缘件以及第二电极件。绝缘件位于接地件与第一电极件之间，以使第一电极件与接地件之间具有间隙，避免第一电极件与接地件接触使第一电极件的电势降低，导致第一电极件的等离子体的密度降低。绝缘件与接地件和/或第一电极件连接，且使接地件的中轴线与第一电极件的中轴线共线；第二电极件与第一电极件对应设置，且两者之间形成操作空间。同时第一电极件与接地件之间设置有距离合适的间隙，使第一电极件与接地件感应连通，进而将第一电极件上的静电通过接地件与大地连通，避免第一电极件上带有过多的静电，击穿堆叠结构中的晶片，导致堆叠结构的损坏。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于栅极分隔线的刻蚀机构。

背景技术

3D NAND存储器中，通常采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构。为了得到堆叠式的3D NAND存储器结构，需要在硅衬底上形成堆叠结构，在堆叠结构上刻蚀形成高深宽比的栅极分割槽，利用刻蚀形成的栅极分割槽将堆叠结构分隔成存储器阵列中的存储区域，并在栅极分割槽内形成导电通道。

在栅极分割槽的刻蚀工艺中,刻蚀电极刻蚀形成高深宽比的栅极分割槽时，刻蚀电极应带有足够的负电以便增加刻蚀电极上的等离子体的密度，进而加强刻蚀电极的刻蚀高深宽比的栅极分割槽的能力。

刻蚀机台上的支撑架与刻蚀电极连接且为刻蚀电极提供直流电，这种直流电可增加刻蚀电极上的等离子体的密度，进而加强刻蚀电极的刻蚀能力。支撑架与负电极连通，同时与刻蚀电极连通，进而使得刻蚀电极带有负电，刻蚀电极与接地件接触会导致刻蚀电极的电势降低，所以应避免刻蚀电极与接地件接触。但刻蚀电极上聚集过多的静电会击穿组成堆叠结构的晶片导致堆叠结构损坏，因此刻蚀电极应与接地件间设置有距离合适的间隙使得刻蚀电极与接地件进行感应连通，进而将刻蚀电极上的静电与大地连通。相关技术中，确保刻蚀电极与接地件间设置有距离合适的间隙进而避免两者接触的结构设置存在技术难度。

实用新型内容

本申请实施例提供一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，能够确保刻蚀电极与接地件间设置有距离合适的间隙进而避免两者接触。

本申请实施例提供了一种用于栅极分隔线的刻蚀机构，刻蚀机构包括接地件、第一电极件、至少一个绝缘件以及第二电极件。绝缘件位于接地件与第一电极件之间，以使第一电极件与接地件之间具有间隙；绝缘件与接地件和/或第一电极件连接，且使接地件的中轴线与第一电极件的中轴线共线。第二电极件与第一电极件对应设置，且第一电极件与第二电极件之间形成操作空间。

基于本申请实施例中的刻蚀机构，第一电极件接收刻蚀机台的支撑架提供的直流电，这种直流电可增加第一电极件内的等离子体的密度，进而加强第一电极件的刻蚀能力。绝缘件设置在第一电极件与接地件之间，使第一电极件与接地件之间形成间隙，避免第一电极件与接地件接触使第一电极件的电势降低，导致第一电极件的等离子体的密度降低。同时第一电极件与接地件之间设置有距离合适的间隙，使第一电极件与接地件感应连通，进而将第一电极件上的静电通过接地件与大地连通，避免第一电极件上带有过多的静电，击穿堆叠结构中的晶片，导致堆叠结构的损坏。

绝缘件与接地件连接，或绝缘件与第一电极件连接，或绝缘件与接地件以及第一电极件同时连接，使接地件与第一电极件装配过程中，接地件的中轴线与第一电极件的中轴线共线，进而使接地件与第一电极件之间设置有间隙，避免接地件与第一电极件接触。

第一电极件与第二电极件对应设置且两者之间形成用于刻蚀堆叠结构形成栅极分隔槽的操作空间，在操作空间内，第一电极件在堆叠结构上刻蚀形成栅极分隔槽，避免对周围操作环境造成影响以及对操作人员的安全造成威胁。

在一些实施例中，第一电极件上靠近接地件的一侧设置有第一安装槽，接地件的至少部分位于第一安装槽，绝缘件位于第一安装槽内，且位于接地件的部分的外周面与第一安装槽的内壁面之间。