[实用新型]一种用于生成TOPCON太阳电池多晶硅层的装置有效
申请号: | 202122068758.7 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN215496765U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 刘金浩;左桂松;蔡蔚 | 申请(专利权)人: | 无锡市江松科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0368;B23K26/53 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 苗雨 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 生成 topcon 太阳电池 多晶 装置 | ||
1.一种用于生成TOPCON太阳电池多晶硅层的装置,其特征在于,包括密封反应腔、至少一台激光发生器、至少一个工作台,所述工作台、所述激光发生器设置于所述密封反应腔内,所述工作台配置有冷却装置,所述激光发生器的加热端位于所述工作台上方。
2.根据权利要求1所述一种用于生成TOPCON太阳电池多晶硅层的装置,其特征在于,还包括至少一对皮带传输机,所述一对皮带传输机包括进料皮带传输机和出料皮带传输机,所述工作台的进料侧和与进料皮带传输机连接,所述工作台的出料侧分别和出料皮带传输机连接,所述至少一对皮带传输机相互平行设置于所述密封反应腔内。
3.根据权利要求1所述一种用于生成TOPCON太阳电池多晶硅层的装置,其特征在于,所述工作台上开设有限位凹槽。
4.根据权利要求3所述一种用于生成TOPCON太阳电池多晶硅层的装置,其特征在于,还包括翻片装置和位置传感器,所述位置传感器固定安装于所述激光发生器的顶部,所述翻片装置设置于所述工作台上,所述位置传感器、所述翻片装置、所述激光发生器电性连接。
5.根据权利要求1所述一种用于生成TOPCON太阳电池多晶硅层的装置,其特征在于,所述激光发生器为准分子脉冲激光发生器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的