[实用新型]气体注入管及膜层沉积装置

说明书

本实用新型提供了一种气体注入管及膜层沉积装置。气体注入管包括：管本体，管本体的侧壁上设置有条形出气孔，条形出气孔沿管本体的轴向方向延伸；其中，条形出气孔垂直于其延伸方向的宽度为预设宽度；预设宽度沿条形出气孔的延伸方向逐渐变化。本实用新型的气体注入管解决了现有技术中的位于膜层沉积装置内不同位置的晶圆表面沉积的膜层厚度的均匀性较差的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种气体注入管及膜层沉积装置。

背景技术

膜层沉积工艺是3D NAND存储器制造过程中的一步重要工艺。但是，现有的膜层沉积工艺由于其机台结构的限制，使得位于膜层沉积装置内不同位置的晶圆表面沉积的膜层厚度不一致，从而影响存储器中存储单元的写入、读取和擦除，导致3D NAND存储器性能的降低。

因此，如何提高膜层沉积过程中位于膜层沉积装置内不同位置的晶圆表面沉积的膜层厚度的均匀性，改善3D NAND存储器的性能，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种气体注入管及膜层沉积装置，以解决现有技术中的位于膜层沉积装置内不同位置的晶圆表面沉积的膜层厚度的均匀性较差的问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方面，提供了一种气体注入管，包括：管本体，管本体的侧壁上设置有条形出气孔，条形出气孔沿管本体的轴向方向延伸；其中，条形出气孔垂直于其延伸方向的宽度为预设宽度；预设宽度沿条形出气孔的延伸方向逐渐变化。

进一步地，条形出气孔沿其延伸方向具有相对设置的第一端和第二端，由条形出气孔的第一端至条形出气孔的第二端的方向，预设宽度逐渐增大。

进一步地，条形出气孔沿其延伸方向具有相对设置的第一端和第二端，由条形出气孔的第一端至条形出气孔的第二端的方向，预设宽度逐渐减小。

进一步地，条形出气孔沿其延伸方向具有相对设置的第一端和第二端；条形出气孔包括至少两个出气孔段，至少两个出气孔段由条形出气孔的第一端至条形出气孔的第二端的方向上依次设置；由条形出气孔的第一端至条形出气孔的第二端的方向上，出气孔段的预设宽度逐渐减小；或者，由条形出气孔的第一端至条形出气孔的第二端的方向上，出气孔段的预设宽度逐渐增大。

进一步地，至少两个出气孔段包括第一孔段和第二孔段，第一孔段的第一端朝向条形出气孔的第一端延伸，第一孔段的第二端与第二孔段的第一端连接，第二孔段的第二端朝向条形出气孔的第二端延伸；其中，第一孔段的第二端的预设宽度与第二孔段的第一端的预设宽度相等。

进一步地，第一孔段的第一端延伸至条形出气孔的第一端，第二孔段的第二端延伸至条形出气孔的第二端。

进一步地，第一孔段的预设宽度由其第一端至其第二端的方向上逐渐增大，第二孔段的预设宽度由其第二端至其第一端的方向上逐渐增大；或者，第一孔段的预设宽度由其第一端至其第二端的方向上逐渐减小，第二孔段的预设宽度由其第二端至其第一端的方向上逐渐减小。

进一步地，预设宽度的取值范围为0mm至0.3mm之间。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种膜层沉积装置，包括：反应腔室，用于设置承载多个堆叠设置的晶圆的晶舟；上述的气体注入管，设置有条形出气孔的管本体设置在反应腔室内，条形出气孔朝向晶圆设置。

进一步地，气体注入管用于向反应腔室通入Si₂Cl₆气体。