[实用新型]一种喷雾热解制备半导体薄膜的装置

说明书

本实用新型涉及半导体材料制造装置技术，具体涉及一种喷雾热解制备半导体薄膜的装置，包括：喷头，用于将压缩气体和盐溶液进行雾化；蠕动泵，用于将盐溶液输送至喷头；加热台，用于对放置在加热台上的基片进行加热，放置在在加热台上的基片用于接收喷头雾化的雾化颗粒；所述喷头设置液体通道和气体通道，液体通道位于气体通道内，液体通道内设置引导针，引导针的针尖位于液体出口处，气体出口位于液体出口内，气体出口直径小于内管直径。本实用新型能够使得喷头喷嘴处的液体被撕裂成微小且均匀的雾滴，避免产生水滴、散热较快，使形成的半导体薄膜更均匀，从而实现长时间、大规模生产半导体薄膜。

技术领域

本实用新型涉及半导体材料制造装置技术，具体涉及一种喷雾热解制备半导体薄膜的装置。

背景技术

公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

半导体电极薄膜的制备工艺有磁控溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法、旋涂法、化学气相沉积法。而化学气相沉积法按照激发方式的不同可将其分为光化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、高温气相裂解沉积、激光化学气相沉积、雾化化学气相沉积(即喷雾热解法)等。利用化学气相沉积法可制得面积较大、晶化良好、结构致密的薄膜。而其中效果最好的是喷雾热解法。喷雾热解法是一个气溶胶的过程，隶属气相法的范畴，但与一般的气溶胶过程不同的是，它是以溶液作为前驱体，所以兼具气相法和液相法的很多优点。喷雾热解法具有成膜速率快、成本低、易于大面积成膜。有极高的工业化潜力，且同时具有产物纯度高、粒度和组成均匀、操作过程简单连续等优点，引起人们的广泛研究和关注。

据发明人研究了解，现有的喷雾热解制取薄膜的喷头中有采用超声喷头对液滴进行雾化，但超声雾化喷头工作时间过长容易发热量过大，造成设备的损坏。此外超声喷雾镀膜设备长时间工作后，雾气容易在管道和出口处凝结成水滴，一旦滴于衬底表面将对薄膜造成严重的破坏。专利号CN204570035U对这一现象进行一定改进，但并未完全解决这些问题。另外采用静电喷雾热解技术，静电喷雾热解技术需采用静电喷头外加高压电场，但静电喷雾液滴的生产能力低，生产时间长不利于大规模生产。在一系列解决方案中，最常见的是采用各种类型的机械雾化喷头，该类喷雾带有诱导充电装置。然而，发明人研究发现，基于这种喷头的喷雾热解装置产生的雾滴的尺寸分布通常是不均匀的，该类喷嘴产生的雾滴比单纯的静电喷雾产生的雾滴大，因而，它们的电荷数量级较小，雾化区域难以控制，而且静电喷雾的微滴具有过高的动能，导致其无法有效地沉积或聚集在基板上，从而导致制备的半导体薄膜不均匀，难以实现大规模生产。

实用新型内容

为了解决现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种喷雾热解制备半导体薄膜的装置，该装置能够长时间工作、大规模生产半导体薄膜。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案为：

一种喷雾热解制备半导体薄膜的装置，包括：

喷头，用于将压缩气体和盐溶液进行雾化；

蠕动泵，用于将盐溶液输送至喷头；

加热台，用于对放置在加热台上的基片进行加热，放置在在加热台上的基片用于接收喷头雾化的雾化颗粒；

所述喷头设置液体通道和气体通道，液体通道位于气体通道内，液体通道内设置引导针，引导针的针尖位于液体出口处，气体出口位于液体出口内，气体出口直径小于内管直径。