[实用新型]一种喷雾热解制备半导体薄膜的装置

权利要求书

1.一种喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，包括：

喷头，用于将压缩气体和盐溶液进行雾化；

蠕动泵，用于将盐溶液输送至喷头；

加热台，用于对放置在加热台上的基片进行加热，放置在加热台上的基片用于接收喷头雾化的雾化颗粒；

所述喷头设置液体通道和气体通道，液体通道位于气体通道内，液体通道内设置引导针，引导针的针尖位于液体出口处，气体出口位于液体出口内，气体出口直径小于内管直径。

2.如权利要求1所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，所述喷头包括底座、管体和喷嘴，管体一端连接底座，管体另一端连接喷嘴，底座设置气体进口和液体进口，管体由内至外依次为引导针、内管和外管。

3.如权利要求2所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，底座与管体之间设置第一连接件，所述第一连接件包括内外两层，第一连接件的内层与内管连接，第一连接件的外层与外管连接，第一连接件内外两层之间通过若干连接块连接，相邻连接块之间设有空隙。

4.如权利要求3所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，内管同时与底座和第一连接件的内层螺纹连接，第一连接件的外层与外管进行插接。

5.如权利要求3所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，第一连接件的外层与外管之间设置密封垫。

6.如权利要求2所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，管体和喷嘴之间设置第二连接件，所述第二连接件包括内外两层，第二连接件的内层与内管连接，第二连接件的外层与外管连接，第二连接件内外两层之间通过连接环连接，连接环设置若干通孔。

7.如权利要求6所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，喷嘴与第二连接件的内层螺纹连接，第一连接件的外层与外管进行插接。

8.如权利要求6所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，第二连接件的外层与外管之间设置密封垫。

9.如权利要求2所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，喷嘴还包括调节帽，风帽设置在本体与调节帽之间，风帽与本体插接，通过本体与调节帽螺纹连接使风帽固定在本体上。

10.如权利要求2所述的喷雾热解制备半导体薄膜的装置，其特征是，引导针尾部设置固定部。