[实用新型]一种适用于半导体激光器的高发光功率驱动系统有效

专利信息
申请号: 202122002525.7 申请日: 2021-08-24
公开(公告)号: CN215771898U 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 董涛;郭凯凯;朱家乙;王明义;裴淑曼;樊宏恩;崔息戈 申请(专利权)人: 洛阳顶扬光电技术有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 洛阳公信联创知识产权代理有限公司 41190 代理人: 王学鹏
地址: 471000 河南省洛阳市中国(河南)自*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 半导体激光器 发光 功率 驱动 系统
【说明书】:

实用新型提供一种适用于半导体激光器的高发光功率驱动系统,其通过功率采样电路对激光器能量进行实时采样,MCU最小系统读取激光器能量信息后生成合适的驱动脉宽信息,激光器驱动电路获取驱动脉宽信息后通过对应的驱动脉宽驱动激光器工作,从而能够随测距目标的改变随之改变相应的驱动脉宽,实现驱动脉宽与测距距离的自适应,有效解决超远测距中驱动电流不足且可控性较差的问题,提高激光测距的测距距离,本实用新型在各种极端条件的环境下进行测试,实现完全自适应的最优化处理。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光机驱动系统,具体涉及一种适用于半导体激光器的高发光功率驱动系统。

背景技术

半导体激光器的工作原理是:半导体激光二极管利用半导体物质在能带间跃迁发光,在此基础上,利用半导体晶体使光振荡、反馈,输出激光。半导体激光器相对于固体激光器具有体积小、稳定性好、功耗低等突出优点,因而在微型激光测距中激光发射稳定可靠的驱动为重中之重。然而,目前市场上已有的激光光源驱动电路普遍存在对激光光源电流驱动能力不足,且可控性较差的问题。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型的目的是提供一种适用于半导体激光器的高发光功率驱动系统,以解决超远测距中驱动电流不足且可控性较差的问题,提高激光测距的测距距离。

为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:一种适用于半导体激光器的高发光功率驱动系统,包括激光器驱动电路,还包括功率采样电路和MCU最小系统,所述功率采样电路、MCU最小系统以及激光器驱动电路依次连接,所述功率采样电路对激光器能量信息进行实时采样,MCU最小系统从功率采样电路读取激光器能量信息后生成合适的驱动脉宽信息,激光器驱动电路从MCU最小系统获取驱动脉宽信息后通过对应的驱动脉宽驱动激光器工作。

进一步的,所述功率采样电路包括运放U4A以及连接至激光器并用于对激光器能量信息进行实时采样的光取样接口P5,光取样接口P5的2脚连接至采样供电电压,光取样接口P5的1脚连接至运放U4A的3脚,运放U4A的4脚与1脚直接相连后共同连接至MCU最小系统,运放U4A的5脚连接至采样驱动电压。

进一步的,所述采样供电电压为+3.3V,采样驱动电压为5V。

进一步的,所述激光器驱动电路包括开关二极管D1、开关二极管D3、激光器的发光二极管D2、三极管Q1、三极管Q2、MOS管Q3、磁珠FB1以及磁珠FB2,MCU最小系统经电阻R2后连接至三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的集电极连接至三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极接脉宽驱动电压,三极管Q1的集电极连接至MOS管Q3的栅极,MOS管Q3的源极接地,MOS管Q3的漏极分别连接至脉宽驱动电压和若干并联设置的电容一端,若干并联设置的电容另一端分为两条支路,其中一条支路依次经开关二极管D1和磁珠FB1后连接至供电电压VCC,另一条支路依次经磁珠FB2和激光器的发光二极管D2后接地,且磁珠FB2与发光二极管D2的负极相连,发光二极管D2的两侧并联有开关二极管D3。

进一步的,所述脉宽驱动电压为12V。

进一步的,所述MCU最小系统采用STM32系列单片机。

进一步的,所述MCU最小系统的7脚为复位端口,MCU最小系统的1脚为U1输出,19脚分别连接至运放U4A的4脚和1脚,18脚经电阻R2后连接至三极管Q2的基极。

进一步的,所述MCU最小系统分别连接有调试接口、ARM去耦电容。

进一步的,所述运放U4A的5脚还与电容C88相连并经电容C88接地。

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