[实用新型]一种单晶硅快速退火辅助降温装置

说明书

本实用新型提供一种单晶硅快速退火辅助降温装置，包括水平方向设置的工作台，用于放置待退火处理的单晶硅；竖直方向上设置的支撑杆，支撑杆一端设置于工作台上，支撑杆另一端设置有悬挂杆，悬挂杆为水平方向上设置，悬挂杆一端与支撑杆连接；悬挂设置于悬挂杆下方的主风扇，用于向工作台提供风冷，辅助单晶硅快速退火降温。本实用新型解决了目前现有技术由于RTP设备自身的限制，处理结束后，单晶硅自然降温速率较低，降温慢，无法满足实际生产需求，影响生产效率的问题；提供一种单晶硅快速退火辅助降温装置，该辅助降温装置可以对经过RTP处理后的单晶硅样品进行快速冷却，可以显著增加单晶硅的退火降温效率，提高生产效率。

技术领域

本实用新型属于单晶硅退火降温处理技术领域，尤其是涉及一种单晶硅快速退火辅助降温装置。

背景技术

在半导体工业中，通常采用RTP(Rapid Thermal Process，快速热处理)技术对半导体级单晶硅晶圆进行处理工艺，但由于RTP设备自身的限制，处理结束后，单晶硅自然降温速率较低，降温慢，无法满足实际生产需求，影响生产效率。

基于以上缺陷的需求，本实用新型提供了一种单晶硅快速退火辅助降温装置，该辅助降温装置可以对经过RTP处理后的单晶硅样品进行快速冷却，可以显著增加单晶硅的退火降温效率，提高RTP工作效率，且避免产生Thermal Donor(热施主)等不良组分，提高生产效率。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术的缺陷，为了解决上述背景技术中提出的目前现有技术由于RTP设备自身的限制，处理结束后，单晶硅自然降温速率较低，降温慢，无法满足实际生产需求，影响生产效率的问题；提供一种单晶硅快速退火辅助降温装置，该辅助降温装置可以对经过RTP处理后的单晶硅样品进行快速冷却，可以显著增加单晶硅的退火降温效率，提高RTP工作效率，且避免产生Thermal Donor(热施主)等不良组分，提高生产效率。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种单晶硅快速退火辅助降温装置，所述装置包括：

工作台，所述工作台设置于水平方向，所述工作台用于放置待退火处理的单晶硅；

支撑杆，所述支撑杆为竖直方向上设置，所述支撑杆一端设置于所述工作台上，所述支撑杆另一端设置有悬挂杆，所述悬挂杆为水平方向上设置，所述悬挂杆一端与所述支撑杆连接；

主风扇，所述主风扇悬挂设置于所述悬挂杆下方，所述主风扇用于向所述工作台提供风冷，用于辅助所述单晶硅快速退火降温。

进一步地，所述悬挂杆与所述支撑杆的连接端为活动连接，所述悬挂杆可以在所述支撑杆上竖直方向进行上下移动。

进一步地，还包括第一滑轮，所述第一滑轮悬挂设置于所述悬挂杆下方，所述第一滑轮一端与所述主风扇连接，所述第一滑轮用于调节所述主风扇与所述工作台之间的距离。

进一步地，还包括第一旋转头，所述第一旋转头设置于所述主风扇的背侧，所述第一旋转头可以进行旋转，用于调整所述主风扇的朝向。

进一步地，所述第一旋转头的旋转角度≤180°。

进一步地，还包括辅风扇，所述辅风扇悬挂设置于所述悬挂杆下方，所述辅风扇用于和所述主风扇一起对所述单晶硅进行冷却。

进一步地，还包括第二滑轮，所述第二滑轮悬挂设置于所述悬挂杆下方，所述第二滑轮一端与所述辅风扇连接，所述第二滑轮用于调节所述辅风扇与所述工作台之间的距离。

进一步地，还包括第二旋转头，所述第二旋转头设置于所述辅风扇的背侧，所述第二旋转头可以进行旋转，用于调整所述辅风扇的朝向。

进一步地，所述第二旋转头的旋转角度≤45°。

进一步地，所述辅风扇的数量至少为2个。