[实用新型]一种半导体用热板炉有效
| 申请号: | 202121985082.1 | 申请日: | 2021-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN215731611U | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
| 发明(设计)人: | 陈增力;颜玮;王斌;王广军;李晓星 | 申请(专利权)人: | 海珀(滁州)材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 合肥左心专利代理事务所(普通合伙) 34152 | 代理人: | 吴朝 |
| 地址: | 239000*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 用热板炉 | ||
本实用新型公开了一种半导体用热板炉,包括外壳,还包括加热机构,所述加热机构具体由保温框、隔热板、加热片、弹簧伸缩杆、接头、连接块、加热器和加热板组成,所述外壳内壁安装有保温框,所述保温框内壁配合滑动连接有隔热板,所述隔热板表面一侧焊接有弹簧伸缩杆,所述隔热板表面一侧安装有加热片,所述加热片表面一侧安装有接头,所述保温框内壁安装有连接块,所述外壳表面配合转动连接有保温盖,所述保温盖表面安装有加热板,所述外壳内壁安装有加热器,整个装置加热效率较高,可以同步对多个半导体片进行加热,并且有很好的吸烟能力,可以有效的防止烟气对装置内部造成污染,并且不会过多降低加热温度。
技术领域
本实用新型涉及热板炉技术领域,特别涉及一种半导体用热板炉。
背景技术
热板炉主要用于半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料涂胶前的预处理烘烤、涂胶后坚膜烘烤和显影后的高温烘烤,方式为接触式烘烤晶片。
现有的热板炉在加热过程中对加热产生的烟气没有很好的处理装置,这样既容易造成污染装置内部,并且装置没有很好的节能结构,在加热时会消耗大量的能源。为此,我们提出一种半导体用热板炉。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种半导体用热板炉,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种半导体用热板炉,包括外壳,还包括加热机构,所述加热机构具体由保温框、隔热板、加热片、弹簧伸缩杆、接头、连接块、加热器和加热板组成,所述外壳内壁安装有保温框,所述保温框内壁配合滑动连接有隔热板,所述隔热板表面一侧焊接有弹簧伸缩杆,所述隔热板表面一侧安装有加热片,所述加热片表面一侧安装有接头,所述保温框内壁安装有连接块,所述外壳表面配合转动连接有保温盖,所述保温盖表面安装有加热板,所述外壳内壁安装有加热器。
进一步地,还包括排气机构,所述排气机构具体由气道、进气口、密封块、通道、分散孔和气泵组成;通过排气机构,让整体可以更好的吸收加热时产生的烟气,并且不会减少热量的散发。
进一步地,所述保温框内壁安装有气道,所述气道表面一侧安装有进气口,所述气道表面固定连接有通道,所述通道表面安装有分散孔,所述通道表面安装有气泵,所述隔热板表面固定连接有密封块;在保温框没有对半导体进行加热时,密封块会将进气口堵住,这样就不会对该保温框产生吸力,在半导体对加热片产生挤压时,会带动其向下移动,从而让其表面的密封块与进气口相互分离,进而形成通路,气泵不直接对通道产生负压,而是通过水平吹动气体,让其间接对通道产生负压,这时在分散孔的作用下会将吸力分散,这样进气口就不会产生较大的风力,从而降低保温框内的温度,整个装置有很好的吸烟能力,可以有效的防止烟气对装置内部造成污染,并且不会降低加热温度。
进一步地,所述外壳表面安装有PLC控制器;通过PLC控制器来控制整个装置。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:由于加热板和相应加热片之间串联,在加热时只需要将半导体片放入保温框内,让其与加热片相互接触,盖上保温盖,这时保温盖表面的加热板会与半导体相互接触并产生挤压,迫使加热片向下移动,从而其表面的接头和连接块相互接触形成通路,通过PLC控制器,设置加热器加热时间以及加热温度,这样就可以同步对半导体片两侧进行加热,加热效率较高,而没有半导体片的保温框,在弹簧伸缩杆的作用下,会带动接头与连接块相互分离,这样就不会启动其表面的加热片和加热板,这样就做到了降低能源的消耗,在保温框没有对半导体进行加热时,密封块会将进气口堵住,这样就不会对该保温框产生吸力,在半导体对加热片产生挤压时,会带动其向下移动,从而让其表面的密封块与进气口相互分离,进而形成通路,气泵不直接对通道产生负压,而是通过水平吹动气体,让其间接对通道产生负压,这时在分散孔的作用下会将吸力分散,这样进气口就不会产生较大的风力,从而降低保温框内的温度,整个装置加热效率较高,可以同步对多个半导体片进行加热,并且有很好的吸烟能力,可以有效的防止烟气对装置内部造成污染,并且不会过多降低加热温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





