[实用新型]一种静电保护器件与电子设备

说明书

本申请提供了一种静电保护器件与电子设备，涉及静电保护技术领域。该静电保护器件包括具有第一掺杂类型的衬底；位于衬底正面且具有第二掺杂类型的埋层；位于埋层与衬底一侧且具有第二掺杂类型的外延层；位于外延层的一侧且具有第一掺杂类型的掺杂层；贯穿掺杂层、外延层以及埋层且与衬底接触的沟槽；位于沟槽内的钝化层；位于掺杂层一侧的第一电极与位于衬底背面的第二电极。本申请提供的静电保护器件与电子设备具有体积小、成本低、抗浪涌能力更高、残压更低的优点。

技术领域

本申请涉及静电保护技术领域，具体而言，涉及一种静电保护器件与电子设备。

背景技术

在电路设计中，常在电路外围设计中增加独立的ESD保护器件，以实现对敏感器件的保护。

当需要实现不同电压数据线ESD保护器件的场景时，需要通过两个不同电压的ESD单向芯片通过打线方式串联组成。一方面，该实现方案的成本较高；另一方面，两颗单向串联方案残压高、浪涌能力受制于框架可用面积，并且不能将此方案用于DFN封装。

综上，现有技术中用于不同数据线之间的静电保护器件存在成本高、残压高、封装困难等问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种静电保护器件与电子设备，以解决现有技术中存在的用于不同数据线之间的静电保护器件存在成本高、残压高、封装困难等问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种静电保护器件，所述静电保护器件包括：

具有第一掺杂类型的衬底；

位于所述衬底正面且具有第二掺杂类型的埋层；

位于所述埋层与所述衬底一侧且具有第二掺杂类型的外延层；

位于所述外延层的一侧且具有第一掺杂类型的掺杂层；

贯穿所述掺杂层、所述外延层以及所述埋层且与所述衬底接触的沟槽；

位于所述沟槽内的钝化层；

位于所述掺杂层一侧的第一电极与位于所述衬底背面的第二电极。

可选地，所述沟槽至少包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的宽度小于所述埋层的宽度。

可选地，所述衬底、所述埋层以及所述掺杂层均为重掺杂，所述外延层为轻掺杂。

可选地，所述埋层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

可选地，所述埋层的注入剂量为5E13-5E14，注入能量为50-120KeV。

可选地，当所述第一掺杂类型为P型时，所述第二掺杂类型为N型；

当所述第一掺杂类型为N型时，所述第二掺杂类型为P型。

第二方面，本申请实施例还提供了一种静电保护器件，所述静电保护器件包括：

具有第一掺杂类型的衬底；

位于所述衬底正面且具有第二掺杂类型的第一外延层；

位于所述第一外延层一侧且具有第二掺杂类型的第二外延层；

位于所述第二外延层一侧且具有第一掺杂类型的掺杂层；

贯穿所述掺杂层、所述第二外延层以及所述第一外延层且与所述衬底接触的沟槽；

位于所述沟槽内的钝化层；

位于所述掺杂层一侧的第一电极与位于所述衬底背面的第二电极。