[实用新型]一种静电保护器件与电子设备有效
| 申请号： | 202121979730.2 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN215771143U | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 庄翔;张超;鲍灵凤 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨奇松 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 器件 电子设备 | ||
1.一种静电保护器件，其特征在于，所述静电保护器件包括：
具有第一掺杂类型的衬底；
位于所述衬底正面且具有第二掺杂类型的埋层；
位于所述埋层与所述衬底一侧且具有第二掺杂类型的外延层；
位于所述外延层的一侧且具有第一掺杂类型的掺杂层；
贯穿所述掺杂层、所述外延层以及所述埋层且与所述衬底接触的沟槽；
位于所述沟槽内的钝化层；
位于所述掺杂层一侧的第一电极与位于所述衬底背面的第二电极。
2.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述沟槽至少包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的宽度小于所述埋层的宽度。
3.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述衬底、所述埋层以及所述掺杂层均为重掺杂，所述外延层为轻掺杂。
4.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述埋层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述埋层的注入剂量为5E13-5E14，注入能量为50-120KeV。
6.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，当所述第一掺杂类型为P型时，所述第二掺杂类型为N型；
当所述第一掺杂类型为N型时，所述第二掺杂类型为P型。
7.一种静电保护器件，其特征在于，所述静电保护器件包括：
具有第一掺杂类型的衬底；
位于所述衬底正面且具有第二掺杂类型的第一外延层；
位于所述第一外延层一侧且具有第二掺杂类型的第二外延层；
位于所述第二外延层一侧且具有第一掺杂类型的掺杂层；
贯穿所述掺杂层、所述第二外延层以及所述第一外延层且与所述衬底接触的沟槽；
位于所述沟槽内的钝化层；
位于所述掺杂层一侧的第一电极与位于所述衬底背面的第二电极。
8.如权利要求7所述的静电保护器件，其特征在于，当所述衬底背面为低压保护电压方向时，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度；
当所述衬底背面为高压保护电压方向时，所述第一外延层的掺杂浓度小于所述第二外延层的掺杂浓度。
9.如权利要求7所述的静电保护器件，其特征在于，所述衬底、所述第一外延层以及所述掺杂层均为重掺杂，所述第二外延层为轻掺杂。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至6或权利要求7-9任一项所述的静电保护器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
