[实用新型]一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路

说明书

本实用新型提供一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，包括MOSFET、电流采集单元和温度补偿单元；其中，电流采集单元与MOSFET的源极连接，温度补偿单元与MOSFET的漏极连接；温度补偿单元包括第一电阻及与其串联的二极管，第一电阻的一端与电源连接，另一端连接二极管的正极端，二极管的负极端与MOSFET的漏极连接；电流采集电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻及运算放大器，第二电阻的一端与MOSFET的源极连接，另一端与运算放大器的第一输入端连接；第三电阻的一端接地，另一端与运算放大器的第二输入端连接，第四电阻并联于运算放大器的第二输入端和运算放大器的输出端之间。通过二极管PN结的线性温度关系来补偿MOSFET内阻随温度变化导致采集电流不准确的问题。

技术领域

本实用新型涉及一种电流采集电路，具体地说，是涉及一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路。

背景技术

目前，电机驱动器或锂电池管理系统中普遍采用霍尔传感器或分流器采集电流。通过霍尔效应或者分流器电阻分压通过微处理器计算出电流。电机驱动器货锂电池管理系统中普遍带MOSFET，额外增加霍尔传感器及分流器成本高。本带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的方法采用电机驱动器胡分流器电路设计简单，成低廉，精度高，可靠性强，同时也很好的克服了MOSFET内阻随温度变化而导致采集精度低的问题。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，通过二极管PN结的线性温度关系来补偿MOSFET内阻随温度变化导致采集电流不准确的问题。

基于上述目的，本实用新型提供一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，该电路包括MOSFET、电流采集单元和温度补偿单元，其中，所述电流采集单元与MOSFET的源极连接，所述温度补偿单元与MOSFET的漏极连接；

所述温度补偿单元包括第一电阻及与其串联的二极管，所述第一电阻的一端与电源连接，另一端连接二极管的正极端，二极管的负极端与MOSFET的漏极连接；

所述电流采集电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻及运算放大器，所述第二电阻的一端与MOSFET的源极连接，另一端与运算放大器的第一输入端连接；所述第三电阻的一端接地，另一端与运算放大器的第二输入端连接，所述第四电阻并联于运算放大器的第二输入端和运算放大器的输出端之间。

作为优选，所述电路还包括处理器，所述处理器包括第一连接端和第二连接端，所述处理器的第一连接端与运算放大器的输出端连接；所述处理器的第二连接端并接于第一电阻和二极管之间。

作为优选，所述电源的为输出电压为5V或3.3V的低压供电电源。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型通过二极管PN结的线性温度关系来补偿MOSFET内阻随温度变化导致采集电流不准确的问题。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的限定。

图1是本实用新型实施例中带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路的连接结构图；

图2是本实用新型实施例中通过二极管PN结补偿MOSFET内阻变化的补偿电路及MOSFET内阻采集电流的电路图；

图3是本实用新型实施例中二极管电压-温度曲线图；

图4是本实用新型实施例中MOSFET内阻-温度曲线图。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明。