[实用新型]一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路

权利要求书

1.一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，其特征在于，包括MOSFET、电流采集单元和温度补偿单元，其中，所述电流采集单元与MOSFET的源极连接，所述温度补偿单元与MOSFET的漏极连接；

所述温度补偿单元包括第一电阻及与其串联的二极管，所述第一电阻的一端与电源连接，另一端连接二极管的正极端，二极管的负极端与MOSFET的漏极连接；

所述电流采集电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻及运算放大器，所述第二电阻的一端与MOSFET的源极连接，另一端与运算放大器的第一输入端连接；所述第三电阻的一端接地，另一端与运算放大器的第二输入端连接，所述第四电阻并联于运算放大器的第二输入端和运算放大器的输出端之间。

2.根据权利要求1所述的一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，其特征在于，所述电路还包括处理器，所述处理器包括第一连接端和第二连接端，所述处理器的第一连接端与运算放大器的输出端连接；所述处理器的第二连接端并接于第一电阻和二极管之间。

3.根据权利要求1所述的一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，其特征在于，所述电源的为输出电压为5V或3.3V的低压供电电源。