[实用新型]超微晶屏蔽矩形漏电互感器

权利要求书

1.超微晶屏蔽矩形漏电互感器，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)的表面设置有防护机构(2)，所述防护机构(2)包括设置于外壳(1)表面的第一防撞部(21)、与设置于第一防撞部(21)表面的第二防撞部(22)，当外界物体撞击接触外壳(1)时，外壳(1)上的第一防撞部(21)与第二防撞部(22)均用于缓冲外界物体对外壳产生的冲击力。

2.根据权利要求1所述的超微晶屏蔽矩形漏电互感器，其特征在于：所述第一防撞部(21)由内到外包括有第一防撞层(211)、空腔、第一填充层(212)、弹性橡胶柱(213)、第二防撞层(214)、缓冲层(215)，所述第一防撞层(211)包覆于外壳(1)的表面，所述空腔形成于第一防撞层(211)与第二防撞层(214)之间，所述弹性橡胶柱(213)设置有若干个，若干个所述弹性橡胶柱(213)均纵向置于空腔内，所述第一填充层(212)填充于空腔与弹性橡胶柱(213)的间隙处；所述缓冲层(215)包覆于第二防撞层(214)的表面。

3.根据权利要求2所述的超微晶屏蔽矩形漏电互感器，其特征在于：所述第一防撞层(211)与第二防撞层(214)均为ACF人工软骨泡沫材料制成，所述第一防撞层(211)与缓冲层(215)的厚度均在0.002～0.01毫米。

4.根据权利要求2所述的超微晶屏蔽矩形漏电互感器，其特征在于：所述缓冲层(215)为聚氨酯材料制成，所述缓冲层(215)的厚度在0.001～0.01毫米。

5.根据权利要求2所述的超微晶屏蔽矩形漏电互感器，其特征在于：所述第一填充层(212)为酚醛泡沫塑料。

6.根据权利要求2所述的超微晶屏蔽矩形漏电互感器，其特征在于：所述第二防撞部(22)由外到内包括有第四防撞层(224)、缓冲组件(223)、空腔(222)、第三防撞层(221)，所述第三防撞层(221)包覆于缓冲层(215)的表面，所述空腔(222)形成于第四防撞层(224)与第三防撞层(221)之间，所述缓冲组件(223)设置有若干组，若干组所述缓冲组件(223)阵列置于空腔(222)内。

7.根据权利要求6所述的超微晶屏蔽矩形漏电互感器，其特征在于：所述缓冲组件(223)包括固定于空腔(222)一侧内壁的缓冲弹簧(2233)，所述缓冲弹簧(2233)的末端固定有橡胶块(2231)；所述橡胶块(2231)的一侧表面与空腔(222)的一侧内壁固定，所述缓冲弹簧(2233)的内部穿设有伸缩杆(2232)，所述橡胶块(2231)远离空腔(222)的一侧表面与所述伸缩杆(2232)的末端固定。

8.根据权利要求6所述的超微晶屏蔽矩形漏电互感器，其特征在于：所述第三防撞层(221)与第四防撞层(224)均为氯化聚乙烯材料制成，所述第三防撞层(221)与第四防撞层(224)的厚度均在0.0015～0.025毫米。