[实用新型]一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置有效
申请号: | 202121834737.5 | 申请日: | 2021-08-07 |
公开(公告)号: | CN215732739U | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 吴桂生;杨崇国;龚平均;尹逵;吴炫霆;尹青;龚颖 | 申请(专利权)人: | 陇川县晶准硅业有限责任公司 |
主分类号: | H02B1/28 | 分类号: | H02B1/28;H02B1/56;H02B1/30;C01B33/021 |
代理公司: | 昆明科阳知识产权代理事务所 53111 | 代理人: | 孙山明 |
地址: | 678700 云南省德宏傣族*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 工业 冶炼 低压 补偿 装置 | ||
本实用新型涉及低压补偿配电柜技术领域,具体为一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,包括低压补偿装置主体,所述低压补偿装置主体的上端安装有保护罩,所述低压补偿装置主体的两侧位置处均设置有进气网,所述低压补偿装置主体的内部下端安装有冰袋存储抽屉,所述保护罩的前侧设置有透窗,所述保护罩的两侧位置处均设置有百叶散热窗,所述低压补偿装置主体的下端设置有橡胶垫,所述低压补偿装置主体的上端设置有支撑架,所述低压补偿装置主体的上侧安装有换热扇。本实用新型用于工业硅冶炼的低压补偿装置,能调节散热效率,本装置的箱体为卡罩结构,且卡罩结构的结构简单,防水性好,并减小了装置的体积。
技术领域
本实用新型涉及低压补偿配电柜技术领域,具体是一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置。
背景技术
低压补偿配电柜,也称JP柜,适用于交流50Hz、额定电压0.4kV及以下低压配电系统。是集无功补偿、电能计量和漏电、触电保护于一体的户内、外低压配电装置,工业硅冶炼过程中由于使用电流大,因此需要低压补偿装置保护电路。
但是,目前市场上的用于工业硅冶炼的低压补偿装置不能调节散热效率,不利于装置的高负荷的工作散热,导致装置内部的电极元件损毁,一般装置为柜式结构,维修时开启柜门维修,不能完全取出控制器,维修的便捷度较低,且柜式结构的铰接件较多,故障率较高。因此,本领域技术人员提供了一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,包括低压补偿装置主体,所述低压补偿装置主体的上端安装有保护罩,所述低压补偿装置主体的两侧位置处均设置有进气网,所述低压补偿装置主体的内部下端安装有冰袋存储抽屉,所述保护罩的前侧设置有透窗,所述保护罩的两侧位置处均设置有百叶散热窗,所述低压补偿装置主体的下端设置有橡胶垫,所述低压补偿装置主体的上端设置有支撑架,所述低压补偿装置主体的上侧安装有换热扇,所述支撑架的上侧安装有低压补偿主机,所述低压补偿装置主体的内部上端设置有过滤层与吸潮层。
作为本实用新型再进一步的方案:所述低压补偿装置主体的上侧设置有卡口,所述低压补偿装置主体的前后侧临近卡口的位置处均设置有快拆口,所述保护罩的下侧安装有卡扣。
作为本实用新型再进一步的方案:所述低压补偿装置主体通过换热扇与保护罩的内部相贯通,所述低压补偿主机通过支撑架安装于低压补偿装置主体的上方位置处。
作为本实用新型再进一步的方案:所述保护罩的下端卡合于支撑架的外表面位置处,所述冰袋存储抽屉的内部放置有冰袋。
作为本实用新型再进一步的方案:所述卡扣与卡口的位置相对应,所述卡扣卡合于卡口的内部位置处,所述快拆口的位置与卡扣的下端位置相对应。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型用于工业硅冶炼的低压补偿装置,能调节散热效率,通过加冰袋增强装置的散热效率,利于装置的高负荷工作的散热,避免装置内部的电极元件损毁,本装置的箱体为卡罩结构,取下卡罩,就能把装置的控制结构暴露在外部,便于电极元件的维修,且卡罩结构的结构简单,相较于柜体结构,防水性好,并减小了装置的体积。
附图说明
图1为一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置的结构示意图;
图2为一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置中低压补偿装置主体的透视图;
图3为一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置中保护罩的结构示意图。
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