[实用新型]一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置有效

专利信息
申请号: 202121834737.5 申请日: 2021-08-07
公开(公告)号: CN215732739U 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 吴桂生;杨崇国;龚平均;尹逵;吴炫霆;尹青;龚颖 申请(专利权)人: 陇川县晶准硅业有限责任公司
主分类号: H02B1/28 分类号: H02B1/28;H02B1/56;H02B1/30;C01B33/021
代理公司: 昆明科阳知识产权代理事务所 53111 代理人: 孙山明
地址: 678700 云南省德宏傣族*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 工业 冶炼 低压 补偿 装置
【权利要求书】:

1.一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,包括低压补偿装置主体(1),其特征在于,所述低压补偿装置主体(1)的上端安装有保护罩(2),所述低压补偿装置主体(1)的两侧位置处均设置有进气网(3),所述低压补偿装置主体(1)的内部下端安装有冰袋存储抽屉(6),所述保护罩(2)的前侧设置有透窗(7),所述保护罩(2)的两侧位置处均设置有百叶散热窗(4),所述低压补偿装置主体(1)的下端设置有橡胶垫(5),所述低压补偿装置主体(1)的上端设置有支撑架(8),所述低压补偿装置主体(1)的上侧安装有换热扇(9),所述支撑架(8)的上侧安装有低压补偿主机(10),所述低压补偿装置主体(1)的内部上端设置有过滤层(11)与吸潮层(12)。

2.根据权利要求1所述的一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,其特征在于,所述低压补偿装置主体(1)的上侧设置有卡口(13),所述低压补偿装置主体(1)的前后侧临近卡口(13)的位置处均设置有快拆口(15),所述保护罩(2)的下侧安装有卡扣(14)。

3.根据权利要求1所述的一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,其特征在于,所述低压补偿装置主体(1)通过换热扇(9)与保护罩(2)的内部相贯通,所述低压补偿主机(10)通过支撑架(8)安装于低压补偿装置主体(1)的上方位置处。

4.根据权利要求1所述的一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,其特征在于,所述保护罩(2)的下端卡合于支撑架(8)的外表面位置处,所述冰袋存储抽屉(6)的内部放置有冰袋。

5.根据权利要求2所述的一种用于工业硅冶炼的低压补偿装置,其特征在于,所述卡扣(14)与卡口(13)的位置相对应,所述卡扣(14)卡合于卡口(13)的内部位置处,所述快拆口(15)的位置与卡扣(14)的下端位置相对应。

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