[实用新型]一种缓冲式加热装置有效
申请号: | 202121782316.2 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN215261081U | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 唐兴友 | 申请(专利权)人: | 四川科尔威光电科技有限公司 |
主分类号: | F26B23/00 | 分类号: | F26B23/00;H01L21/67;G03F7/38;G03F7/40;F16F15/02 |
代理公司: | 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51248 | 代理人: | 罗超 |
地址: | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缓冲 加热 装置 | ||
本实用新型公开了一种缓冲式加热装置,包括:瓦楞状加热板,所述瓦楞状加热板上设有至少一个热量缓冲槽,每一所述热量缓冲槽的两侧均设有对待加热基片起支撑作用的支撑台;加热外壳,所述瓦楞状加热板设于所述加热外壳的顶部;多个加热丝,所述多个加热丝设于所述加热外壳内并在所述加热外壳内均匀分布。本发明采用特殊的瓦楞状加热板的形状设计,提高了产品受热时的均匀性,并通过热量缓冲槽达到了缓冲温度的作用,既能确保光刻胶内部稀释剂充分挥发,又能避免温度过快上升,造成稀释剂快速冲出片子表面的光刻胶,进而形成大量密集的气泡、凹坑的问题,让光刻胶的稀释剂有充足时间挥发,减少气泡、凹坑缺陷,保证烘干效果。
技术领域
本实用新型属于半导体制备技术领域,具体涉及一种缓冲式加热装置。
背景技术
前后烘是芯片半导体光刻制造中一道关键的工序,随着特征尺寸越来越小,对光刻的要求也越来越高。曝光前后的烘干工序极大影响着线条精度、成品良率,从而决定器件的整体性能和制造成本。工业上常用的有烘箱、管式炉、平面热板等烘烤方式。
传统烘箱、管式炉烘烤时,产品置于设备内,设备通过使腔内充满气体,气体均匀受热于产品。但是这会使产品接受热量的方式是由外向内,造成光刻胶的挥发成分稀释剂优先从光刻胶外部挥发,然后硬化,阻挡了内部的稀释剂挥发,从而造成光刻胶内部稀释剂挥发不充分,造成曝光线条误差严重的问题。
平面热板烘烤时,将产品接受热量的方式直接改为由内向外,虽然改善了稀释剂的挥发均匀性问题。但是大部分产品片子都是1mm厚度以下,比较薄。薄片子直接放在平面热板上时,会快速达到烘干的温度,会造成稀释剂快速冲出片子表面的光刻胶,易形成大量密集的气泡、凹坑,因为已经达到硬化温度,所以这些缺陷会残留下来。最终会对光刻线条精度、产品良率产生非常大的影响。
实用新型内容
为了解决上述问题,本实用新型提供一种缓冲式加热装置。
本实用新型所采用的技术方案为:一种缓冲式加热装置,包括:
瓦楞状加热板,所述瓦楞状加热板上设有至少一个热量缓冲槽,每一所述热量缓冲槽的两侧均设有对待加热基片起支撑作用的支撑台;
加热外壳,所述瓦楞状加热板设于所述加热外壳的顶部;
多个加热丝,所述多个加热丝设于所述加热外壳内并在所述加热外壳内均匀分布。
作为一种可选的技术方案,所述热量缓冲槽设有多个,相邻两个所述热量缓冲槽之间的间隔相等,所述间隔内设有所述的支撑台。
作为一种可选的技术方案,所述热量缓冲槽的最大宽度为20-24mm,所述热量缓冲槽的深度为6-10mm,所述支撑台的顶部宽度为3-7mm。
作为一种优选的技术方案,所述热量缓冲槽的最大宽度为22mm,所述热量缓冲槽的深度为8.71mm,所述支撑台的顶部宽度为5mm。
作为一种可选的技术方案,所述待加热基片的尺寸为2-4inch。
作为一种可选的技术方案,所述热量缓冲槽的截面为弧形、矩形或是梯形,所述热量缓冲槽的底部距离所述加热外壳的顶部之间的距离为10-13mm。
作为一种可选的技术方案,相邻的两个所述加热丝之间的距离为20-24mm。
作为一种可选的技术方案,所述瓦楞状加热板为铝合金材质。
作为一种可选的技术方案,所述瓦楞状加热板的侧壁上设有防烫伤护栏。
作为一种可选的技术方案,所述加热外壳的底部设有承载垫脚。
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